威刚Q3税后净利季增3倍 Q4营运续看旺

发布于：2016-11-10 来源：MoneyDJ

存储器模块厂威刚公布第三季合并营收58.71亿元（新台币，下同），季增16%，年增20.9%；毛利率16.69%，季增9.42个百分点；归属母公司净利3.53亿元，季增3倍，年增3.9倍，每股盈余1.65元。

东芝投资再建新厂房，2018年完工，3D NAND竞争再起硝烟

发布于：2016-11-09 来源：中国闪存市场

东芝11月8日宣布在日本四日市新建工厂，用来扩大生产其专有的3D NAND Flash——BiCS FLASH。东芝希望通过开发最新的BiCS FLASH和新一代的存储器扩大其存储业务，积极响应市场需求，并扩充投资，提升其产品竞争力。

SSD出货创新高 创见10月营收创今年次高

发布于：2016-11-09 来源：巨亨网

创见10月合并营收20亿元（新台币，下同），月增6.7%，年减9.7%，为9个月来新高，创今年次高，主要受惠于工控产品市场热络，加上SSD出货量创历史新高；市场预期2017年将是3D NAND量产阶段，创见也积极投入相关资源...

英特尔SSD新规划：致力于3D NAND和PCIe发展

发布于：2016-11-07 来源：中国闪存市场

目前消费类SSD的SATA接口基本已实现了市场的普及，PCIe Gen3 x4扩展速度最高达32Gbps，是SATAIII接口速度6Gbps的数倍，基于市场对性能的更高要求以及实现SSD速度的升级，SSD接口正在向PCIe发展。

SK海力士：10nm级DRAM将在2017年上半年投产

发布于：2016-11-04 来源：DIGITIMES

据韩国经济报导，SK海力士以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%；10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半

矽品加码资本支出至179亿元台币 扩充高阶封测产能

发布于：2016-11-04 来源：MoneyDJ

矽品昨(3)日召开董事会，通过增加资本预算12亿元（新台币，下同）案、系今年第二度增加，拟用以扩充高阶封装测试产能；今年资本预算总额也自167亿元调整为179亿元。矽品董事会昨日也决议通过出售闲置之新竹二厂及...

Marvell宣布重组计划 将裁员900人

发布于：2016-11-03 来源：中国闪存市场

Marvell昨日在美国公布了最新针对研发的重组计划，为提升整体盈利能力布局，这些重组策略预计将在2017年10月底前全部落实到位，预计可以将年度运营费用从目前的10.8亿美元降低到8.2~8.4亿美元。

SK海力士全力发展CIS、PMIC及DDIC事业

发布于：2016-11-02 来源：DIGITIMES

据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段；SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产，成为SK海力士...

金士顿推256GB Class 10 UHS-I闪存卡

发布于：2016-11-01 来源：cnBeta

金士顿公司宣布推出具备防水特性的256GB大容量Class 10 UHS-I microSDXC卡，自然如果你并不需要这么大的容量公司也提供了16GB、32GB、64GB和128GB的容量选项。

建兴睿速V5系列入门级SSD将上市：海力士16nm TLC闪存

发布于：2016-10-31 来源：超能网

建兴在今年年初推出T9系列SSD后就有很长一段时间没有新品放出，现在一款新产品就在路上，建兴睿速V5系列即将上市。