慧荣发布符合SD 6.0标准的SD控制芯片

发布于：2017-06-01 来源：中国闪存市场

控制芯片厂慧荣推出了其最新的符合SD 6.0规范的控制芯片SM2705EN、SM2707EN，不仅支持2D NAND Flash，还支持三星、东芝、美光、SK海力士等最新的3D NAND，目前已经在送样中。

传东芝将「东芝Memory」设备资产移回，恐影响竞价

发布于：2017-06-01 来源：MoneyDJ

为了筹措重建资金，东芝正积极展开以NAND Flash为主轴的Memory事业新公司「东芝Memory」的出售手续。不过，东芝合作伙伴、共同营运NAND Flash主要据点「四日市工厂」的西部数据（Western Digital）却出面阻挠，称...

英特尔再发数据中心应用的3D SSD：P4501系列

发布于：2017-05-31 来源：中国闪存市场

英特尔发布了用于数据中心的DC P4501系列3D TLC SSD产品，已经面向企业级客户供货。

未来两年，美光将砸20亿美元研发13nm DRAM

发布于：2017-05-31 来源：MoneyDJ

Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导，在DRAM市场，三星工艺制程领先对手1~2年，2016年下半年首先量产18nm DRAM，计划2017下半年推进至15nm。IHS Markit估计，2017年底为止，三星计划把18n

传三星拟大幅增加3D-stacked DRAM产量

发布于：2017-05-31 来源：中国闪存市场

据ETnews报道，三星电子将通过新的TSV技术增加3D-stacked DRAM产量，有望供货给进军AI（人工智能）市场的英特尔和Nvidia。

传三星拟砸89亿美元建西安厂第二条产线，巩固其市场地位

发布于：2017-05-31 来源：DIGITIMES

在NAND Flash技术由2D向3D转换的关键时期，以及为了应对不断增加的市场需求，各家Flash原厂投资动作不断。近日，传三星电子(Samsung Electronics)正考虑在2019年之前斥资10兆韩元(约89.1亿美元)，将其大陆西安NAND

东芝推出XG5系列PCIe SSD：64层TLC 3D NAND

发布于：2017-05-31 来源：中国闪存市场

东芝在2017年初宣布其最新的BiCS Flash（Bit Cost Scaling）64层512Gb 3D NAND送样，前日就推出了基于64层TLC 3D NAND技术的XG5系列PCIe SSD。

西部数据推出业内首款64层3D SSD：Blue和Ultra系列

发布于：2017-05-31 来源：中国闪存市场

随着3D技术的快速发展，2017年各家Flash原厂纷纷向64层/72层技术推进，西部数据（Western Dlital）宣布推出全球首款基于64层3D NAND的消费类3D SSD（固态硬盘），称通过最新的64层3D NAND技术，将提供具有低功耗...

南亚科：今年导入20nm制程，深耕利基型市场

发布于：2017-05-26 来源：MoneyDJ

南亚科今(26) 日举行股东常会，展望今年，董事长吴嘉昭表示，预期今年DRAM市场可望维持稳定，需求成长率可望逾20% ，且在供应端维持稳定结构下，DRAM 已为寡占市场；而南亚科将持续提升利基型产品占比，预期今年...

Marvell Q1营收5.79亿美元，净利润1.07亿美元

发布于：2017-05-26 来源：中国闪存市场

Marvell公布了截止至2017年4月28日的2018财年Q1财报，其中营收为5.79亿美元，高于预期，营业利润9900万美元，净利润1.07亿美元，或每股0.19美元。