双镜头、DRAM成本拉高，三星Galaxy S9单价或创新高

发布于：2017-12-18 来源：DIGITIMES

传闻三星电子(Samsung Electronics)即将在2018年初发布的Galaxy S9+智能型手机将采用双镜头相机模块与其它更高规格硬件，因此Galaxy S9+恐将成为Galaxy S系列中售价最高的机种。

东芝发声明称旗下FlashAir™存储卡存在安全漏洞

发布于：2017-12-18 来源：东芝

东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）发布告客户书，声明称FlashAir™ SDHC/SDXC存储卡已确定存在潜在的WPA2无线局域网协议安全漏洞。此漏洞与用于加密数据的密钥信息的生成和管理有关。

外媒：中国对东芝出售Memory业务展开反垄断调查

发布于：2017-12-15 来源：凤凰科技

据路透社北京时间12月15日报道，《日经亚洲评论》星期五刊文称，中国监管机构已经启动对东芝出售Memory业务的交易展开调查，可能会推迟这一交易的完成时间。

东芝西部数据终和解 TMC重新出发

发布于：2017-12-15 来源：DIGITIMES

东芝(Toshiba)与西部数据(WD)的存储器事业风波，从2017年2月14日东芝宣布将其存储器事业出售，5月14日西部数据谈判不成提出国际仲裁，至12月13日，双方终于公开宣告和解，让事件落幕，东芝存储器(TMC)可以继续筹...

西数会议：已交付96层3D NAND产品，2D转3D过程很繁琐

发布于：2017-12-15 来源：超能网

前两天西部数据召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而西部数据在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能...

东芝与西部数据达成和解，未来将加强闪存合作

发布于：2017-12-13 来源：中国闪存市场

12月13日，东芝宣布已与西部数据就持续半年多的诉讼纠纷和仲裁达成和解。未来将加强和扩大闪存( Flash Memory)事业合作关系。

东芝推出用于汽车领域的UFS：最大容量256GB

发布于：2017-12-12 来源：中国闪存市场

12月12日，东芝宣布推出满足新一代汽车应用的UFS产品，新的UFS产品采用15纳米工艺技术NAND flash芯片，与控制器整合封装。基于JEDEC UFS 2.1标准，符合AEC-Q100标准级要求，支持-40°C- 105&

三星去年研发投入143亿美元 全球排名第4

发布于：2017-12-11 来源：TechWeb

据《韩国先驱报》报道，欧盟委员会周一公布的数据显示，在2016年至2017年期间，三星电子在研发方面的投入在全球2500家主要公司中排名第四。

建兴发布企业级EPX M.2 SSD：东芝64层TLC NAND

发布于：2017-12-11 来源：快科技

建兴EPX系列采用少见的M.2 22110规格(长度110毫米)，主控是Marvell 88SS1093 Eldora，内置三个Cortex R5核心，支持八通道闪存，每通道四个CE，并支持第三代ECC错误校验、LDPC纠错算法和各种企业级功能、PCI-E

SK海力士人事调动中升职人员较2016年增加一倍

发布于：2017-12-08 来源：DIGITIMES

2017年SK海力士(SK Hynix)创下历年最高业绩，人事调动中升职人员也较2016年增加一倍。朴星昱也留任SK海力士副会长。