东芝推出V30速度等级的EXCERIA MicroSDXC卡

发布于：2018-03-01 来源：中国闪存市场

东芝推出新的EXCERIA microSDXC卡，命名为M303，其速度等级V30，提供最低30 MB/s的数据传输速率，满足用户记录和存储4K超高清视频录制等需求。

慧荣PCIe BGA SSD:最小尺寸11.5mmx13mm

发布于：2018-02-28 来源：中国闪存市场

慧荣科技发布了最新一代的支持PCIe Gen3 NVMe 1.3的FerriSSD，新产品系列分别是支持PCIe Gen3 x4接口的SM689和支持PCIe Gen3 x2接口的SM681，其连续读取速度最高达到1.45GB/s，连续写入速度最高达到65

闪迪发布400GB UHS-I MicroSDXC卡

发布于：2018-02-27 来源：中国闪存市场

在正在举行的MWC2018上，WD SanDisk发布UHS-I闪存卡：400GB UHS-I MicroSDXC卡，读速度 160MB/s，写入速度90MB/s，较前代产品性能提升50% 以上。

美光发布基于64层3D NAND的UFS 2.1

发布于：2018-02-27 来源：中国闪存市场

美光发布了符合UFS2.1标准的嵌入式产品，支持双通道双向读写，G3-2L接口可提供的传输速度是eMMC5.1的两倍，满足捕获高分辨率照片或录制4K视频存储时所需的数据访问速度需求，也可帮助智能手机制造商在人工智能（A...

西部数据两款NVMe SSD新品- - SN520/SN720

发布于：2018-02-27 来源：中国闪存市场

西部数据（Western Digital）推出了两款NVMe SSD新品- -PC SN520和PC SN720，是基于全新的主控架构和固件的首款NVMe SSD，均采用的是3D NAND，主要用于轻薄二合一笔记本、物联网计算

投资60亿美元 三星7nm EUV工厂破土动工

发布于：2018-02-23 来源：快科技

2月23日消息，三星在官网宣布，投资60亿美元在韩国华城（Hwaseong）兴建新的半导体工厂，用于扩充7nm EUV的产能。该工厂已经破土动工，2019年下半年竣工，2020年之前投产。

英特尔计划未来三年在以色列投资50亿美元

发布于：2018-02-23 来源：新华社

以色列当地财经媒体《环球报》21日报道称，2018年至2020年英特尔将在以色列投资50亿美元，用于扩大其在以色列的生产规模和技术升级换代。报道称，当天以色列经济和产业部长埃利·科亨会见了英特尔高管，...

三星7nm晶圆厂周五动土,投资56亿美元

发布于：2018-02-22 来源：集微网

三星电子位于南韩华城市(Hwaseong)的晶圆新厂本周五(2月23日)将正式动土，预定明年下半年开始量产7nm以下制程的芯片，未来可望在智能设备、 机器人的客制化芯片取得不错进展。

三星会长涉嫌逃税 以72名高层名义开设260个账户

发布于：2018-02-09 来源：新华社

韩国警方8日说，发现三星电子会长李健熙和某高管以三星集团高管名义开设多个非法借名账户，隐匿共计超过4000亿韩元（约合23.27亿元人民币）资产，涉嫌逃税82亿韩元（4764万元人民币）。

三星办公室遭韩检方搜查 涉及前总统李明博

发布于：2018-02-09 来源：凤凰科技

据路透社北京时间2月9日报道，韩联社当地时间星期四刊文称，作为对前总统李明博（Lee Myung-bak）调查的一部分，首尔检察官搜查了三星电子的一处办公室。韩联社称，首尔检方的目的，是搜集三星对据称是由李明博控...