随着3D NAND技术的快速发展,三星开始量产96层3D NAND,东芝/西部数据宣布成功开发出96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),预计将在2018下半年开始批量出货。
存储器厂南亚科宣布,将以巨额交易方式,取得福懋兴业释出的福懋科19%股份,取得不超过8,402.2万股的福懋科股份,每股价格36.3元(新台币,下同),总金额约30.5亿元(约合6.7亿人民币)。
7月20日,东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),单Die容量最高可达1.33Tb,预计将在2018下半年开始批量出货,并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。
存储器大厂南亚科2018年上半年展现亮丽成长动能,并看好第3季供需持续稳定,下半年市场需求将稳定成长,南亚科总经理李培瑛表示,DRAM产业市况稳定,每年市场需求成长约15%~20%。
由于机械硬盘需求下降,西数已经决定在2019年底关闭位于马来西亚八打灵再也的HDD硬盘工厂,2016年西数子公司HGST已经关闭了位于马来西亚槟城的硬盘工厂。
三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来,三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,5G和AI将是其主要应用领域。
力成受惠存储器市况优于预期,客户下单动能转强,第二季营收创单季历史新高,达172.14亿元(新台币,下同),季增幅达8.2%,优于公司前次法说所预期的5%水准。展望后市,法人预期,第三季营运续往上,估季增幅约5...
韩国业界最近指出,三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元,预计将以韩国平泽、中国西安为主,扩大高容量3D NAND生产规模,期望拉大与其它竞争对手间的领先差距。
据路透社北京时间7月13日报道,英特尔当地时间星期四表示,它计划收购小型芯片厂商eASIC。这一交易将有助于英特尔降低对CPU的依赖,实现业务多元化。英特尔没有披露收购eASIC协议条款。
在经过2年时间缺货和涨价后,2018年3D NAND产能倾巢而出,同时国际原厂、国内企业等建厂动作频频,且下一代96层3D NAND技术竞争加剧。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 98900 | KRW | +2.49% |
| SK海力士 | 511000 | KRW | +6.79% |
| 铠侠 | 8830 | JPY | +19.81% |
| 美光科技 | 206.710 | USD | +4.15% |
| 西部数据 | 125.720 | USD | +4.36% |
| 闪迪 | 167.050 | USD | +13.68% |
| 南亚科技 | 109.5 | TWD | -0.45% |
| 华邦电子 | 46.30 | TWD | +1.87% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 880 | TWD | +1.27% |
| 慧荣科技 | 95.030 | USD | +3.08% |
| 联芸科技 | 58.59 | CNY | +8.50% |
| 点序 | 79.5 | TWD | +2.19% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 220.02 | CNY | +15.68% |
| 希捷科技 | 226.410 | USD | +5.28% |
| 宜鼎国际 | 426.5 | TWD | +1.31% |
| 创见资讯 | 131.0 | TWD | +0.38% |
| 威刚科技 | 186.5 | TWD | +3.04% |
| 世迈科技 | 21.730 | USD | +0.93% |
| 朗科科技 | 33.35 | CNY | +9.49% |
| 佰维存储 | 118.02 | CNY | +9.69% |
| 德明利 | 216.92 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 23.25 | CNY | +9.98% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 47.05 | TWD | -1.77% |
| 力成 | 150.0 | TWD | -0.99% |
| 长电科技 | 40.78 | CNY | +2.39% |
| 日月光 | 196.0 | TWD | +1.55% |
| 通富微电 | 41.69 | CNY | +4.99% |
| 华天科技 | 11.89 | CNY | +1.02% |
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