长鑫存储重磅发布核心DRAM产品，宣告加入DRAM全球版图

发布于：2020-02-26 来源：中国闪存市场

长鑫存储官方正式上线DRAM产品，包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品，均符合国际通行标准规范。

威刚推出具有断电保护功能的ISSS333 SSD：最大容量2TB

发布于：2020-02-25 来源：中国闪存市场

威刚科技宣布推出具有断电保护（PLP）功能的新型2.5英寸SATA III ISSS333 SSD。ISSS333系列SSD采用3D NAND和SATA III 6Gb/s接口，顺序读写最高560/520 MB/s。

点序推出SD卡控制芯片AS2705EN：支持3D QLC，传输速度超过160MB/S

发布于：2020-02-24 来源：点序科技

点序科技推出高效能AS2705EN SD6.1控制芯片，支持3D QLC NAND，并增加了更先进的DDR200 效能应用，传输速度超过160MB/S以上。

DRAM也将走向3D堆叠？传SK海力士获DBI Ultra 3D互连技术的转让

发布于：2020-02-21 来源：中国闪存市场

有消息称，SK海力士已经与Xperi Corp旗下子公司Invensas签订新的专利与技术授权协议。该协议内容为SK海力士将获得Xperi广泛的半导体知识产权以及Invensas DBI Ultra 3D互连技术的转让。

三星宣布任命韩国前企划财政部长朴宰完为董事会主席

发布于：2020-02-21 来源：中国闪存市场

三星电子21日宣布任命外部董事、韩国前企划财政部长朴宰完（Bahk Jae-wan）作为董事会的新主席，接替宣布辞职的李相勋（Lee Sang-hoo），三星称这一任命即刻生效，将提高董事会的独立性和管理透明度。

三星华城V1工厂量产，2020年7nm及以下总产能将增加3倍

发布于：2020-02-20 来源：中国闪存市场

三星宣布位于韩国华城的最新尖端半导体V1工厂生产线已经开始量产，该工厂致力于极紫外（EUV）光刻技术生产，并使用7纳米（nm）以下的工艺节点生产芯片。

最高写速800MB/s，西部数据UFS 3.1新品3月上市！

发布于：2020-02-20 来源：中国闪存市场

西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸，专为要求高性能、低功耗的移动设备如5G手机、平板...

出现1名“疫情”接触者,SK海力士关闭利川培训中心,DRAM工厂无影响！

发布于：2020-02-20 来源：中国闪存市场

2月19日，SK海力士宣布关闭利川校区培训中心。据悉，采取这一措施是因为在此接受培训的280名实习生（受训新人员）中有一位曾接触过Corona 19（新型冠状病毒）确诊者。

aigo推出新款入门级NVMe SSD P300系列，采用不同主控芯片

发布于：2020-02-19 来源：ANANDTECH

据外媒报道，Aigo近期推出新款入门级NVMe SSD P300系列，采用PCIe 3.0x4接口，专为经济型PC设计。

金士顿宣布IronKey D300已获得北约限制级别认证

发布于：2020-02-19 来源：TECHPOWERUP

近日，金士顿技术有限公司旗下分支机构金士顿数字欧洲有限公司宣布，其IronKey D300加密USB闪存盘系列已获得北约限制级别认证。