英特尔推出XBM内存专利技术,瞄准HBM4

存储器 2026-07-09 17:08

英特尔公布了一项名为XBM的新专利技术,该方案旨在替代HBM4,并提供更高的带宽能力。XBM全称扩展带宽内存,属于DRAM内存方案,其封装尺寸将与HBM4保持一致,每颗芯片的容量在0.5GB-5GB之间,搭载32GT/s速率的UCIe通用芯粒互联接口。XBM最核心的突破在于制造工艺的迁移:传统DRAM的存储单元制作于前段制程(FEOL),也就是原生用于制作晶体管的底层硅基底;而XBM将1T1C存储单元转移至后段制程(BEOL),布置在晶体管上层的金属通孔堆叠区域,并采用薄膜晶体管工艺。

简讯快报

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