从P5的磁吸革命到H1的功能整合，再到P6的速度飞跃，aigo存储的创新轨迹勾勒出行业转型的大方向：存储设备正从被动的数据容器，进化为主动的生产力工具。
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据悉，PH4在场地开建和竣工收尾工程上各投入约1.8万亿韩元。这意味着在不包含设备及相关设施的情况下，仅外部结构施工就总计需要投入3.6万亿韩元（约合26亿美元）。
美国政府4月13日宣布对半导体行业展开国家安全贸易调查。据外媒报道，美国商务部长卢特尼克27日表示，将在两周内公布该调查结果。
江波龙NFC PSSD技术已经率先在旗下国际高端消费品牌Lexar实现产品化并将逐步推向市场，外观延续雷克沙家族设计语言，支持Windows、macOS、Android、iOS全平台，未来有望在主要电商及线下零售渠道陆续与消费者见面。
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闪迪提出的HBF（高带宽闪存）是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构，结合了3D NAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。
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宇瞻看好，随着AI 产业持续火热，有助带动存储需求，包括服务器DDR5与企业SSD 的升级，也有助DRAM 与NAND市况。
2025年6月底，aigo宣布其U330高速U盘全球累计销量突破1000万，成为该品牌首款达到千万级销量的存储产品。
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据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续计划提升至17600MT/s，达到现行DDR5最高速度（约8000MT/s）的两倍以上。
三星原本计划在今年下半年实现量产，但内部采取了谨慎态度，将量产准备批准（PRA）期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试，1c DRAM的良率已达到65%。
全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成，与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比，性能有显著提升。
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陈立武表示，英特尔将不再执行「先建厂再找客户」的策略，不相信只要盖好工厂，客户就会自己出现。他支出，此前激进、大举扩张的策略，导致厂区分散、产能闲置，并强调未来将依据客户实际下单情况来决定是否扩建产能，所有投资将回归经济效益，不再「乱开空白支票」。
作为AMD官方合作伙伴，江波龙企业级BG系列 DDR5 RDIMM率先通过该平台严苛兼容性测试，并被指定为官方工作站内存配置。
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就NAND闪存业务领域，SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调，实施以盈利为导向的运营策略，也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。
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韩媒：三星电子1c DRAM良率已接近60%
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价
本周存储成品端现货价格维持高位盘整，部分Flash Wafer及DDR颗粒价格上调