英伟达提高HBM4标准,三星改造逻辑芯片冲刺13Gbps传输速度

存储器 网络 Andy 2026-01-15 15:24

据韩媒报道,业内人士透露,英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应,三星电子正在修改其逻辑芯片设计,并与代工部门合作,重点关注散热控制和性能提升,加快研发进度。

HBM由多个垂直堆叠的 DRAM 芯片组成。在 HBM4 中,逻辑芯片位于堆叠的最底部,负责执行单个 DRAM 芯片难以完成的功能,数据传输时序、路由和电源管理都取决于逻辑芯片的性能。

虽然HBM4的初始标准是8-10Gb/s,但英伟达将其扩展至11Gb/s及更高速度,使得逻辑芯片的重要性日益凸显。在如此高的速度下,HBM产生的热量和功耗波动会直接导致数据处理错误,因此必须改进逻辑芯片的规格以控制这些波动。这意味着HBM性能的竞争范围已从DRAM扩展到逻辑芯片设计能力。

三星电子内部人士表示,提高数据传输速度并不难,只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的,只是散热存在问题,但这个问题很快就能解决。

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