韩媒:三星电子1c DRAM良率已接近60%

存储器 网络 Andy 2026-01-16 17:23

据韩媒报道,熟知三星电子内情的相关人士透露,近期三星电子1c DRAM良率已接近60%,该良率确保了超过盈亏平衡点。

此前,三星电子在1c DRAM开发过程中,在确保一定水平的良率后,于2025年12月按原计划解散了专门负责良率改善的特别工作组。规模约400-500名的人员被分散配置到平泽生产线和原有的技术组织中。

三星的判断基准线是“冷测试良率50%”。即使良率未能立即提升,经营层也果断决策,认为必须迅速进入英伟达供应链,抢先确保市场份额。

业界将此次1c DRAM量产战略解读为三星电子的“速度战回归”。评价认为,三星电子已摆脱“重视良率稳定化、对量产转换持慎重态度”的基调,回归到“确保一定良率后便立即投入量产和市场应对”的过去三星模式。据悉,三星电子内部共识是,在1c DRAM量产方面领先于竞争对手。

三星电子在HBM4中应用了1c DRAM和基于4纳米工艺的逻辑芯片,提升了能效和运行速度。据分析,在内部技术评估中,其确保了每秒11Gbps以上的性能水平,已接近英伟达要求的高速规格。

三星电子预计2026年HBM销量将比2025年增长2.5倍以上。这被解读为是基于1c DRAM良率改善及扩大生产,对HBM4量产扩张正式化表达了期待。

此前有报道称,三星电子计划在2026年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。

另据业内人士透露,英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应,三星电子正在修改其逻辑芯片设计,并与代工部门合作,重点关注散热控制和性能提升,加快研发进度。

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