宏碁陈俊圣：零部件涨价放缓但未现降价，下半年PC市场或迎“量跌价升”

三星电子日前在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。与DRAM相比，MRAM的优势在于具备非易失性，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。三星电子 5nm MRAM 的工作温度范围为-40~+150 ℃，可满足 AEC-Q100 标准要求，目前正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。

宏碁董事长陈俊圣今日表示，目前零部件涨价幅度已经开始减缓，不过尚未出现降价迹象。

乘联分会数据显示，6月1-14日，全国乘用车市场零售53.4万辆，同比去年6月同期下降18%，较上月同期下降5%，今年以来累计零售763.3万辆，同比下降19%；6月1-14日，全国乘用车厂商批发55.6万辆，同比去年6月同期下降15%，较上月同期增长8%，今年以来累计批发1,074.2万辆，同比下降6%。

算苗科技宣布旗下面向大模型推理的3D TokenPU芯片A4E已正式流片，标志着中国在高端AI算力芯片领域，实现依托国产供应链、采用3D混合堆叠架构的大模型专用处理器落地。

阿里云宣布法国巴黎、马来西亚柔佛地域正式开服，同时扩建日本东京和墨西哥的数据中心，以满足AI出海与全球市场激增的Token调用需求。本轮扩张完成后，阿里云全球布局升至32个地域、105个可用区。

受C端AI产品高昂算力成本与微薄收入落差的直接影响，消息称字节跳动正调整AI资源分配，战略重心从面向大众的“豆包”转向企业服务。数据显示，日活超2亿的豆包日收入不足百万，而日消耗算力成本达数千万元；相比之下，其视频生成模型Seedance在企业端表现强劲，年化收入（ARR）已达20亿美元，毛利率高达70%。据悉，此次转向受Anthropic企业级AI编程服务成功模式的启发。未来，字节最高层已定下火山引擎MaaS业务收入翻10倍及加快出海的目标，试图通过“B端造血、C端获客”的协同模式实现商业闭环。

据外媒报道，据知情人士透露，美国暂缓将国内AI初创公司DeepSeek、长鑫存储及其他100多家被列为国家安全风险的公司列入贸易黑名单。知情人士指出，多家中国企业原计划被列入实体清单，但自去年底以来，美国商务部工业与安全次长Jeffrey Kessler一直倾向避免将中国企业列入实体清单，避免进一步加剧美中关系紧张。

据韩媒报道，三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米（1d）DRAM的设备，并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间，预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。

据外媒报道，OpenAI去年共支出340亿美元，其中190亿美元用于研发，60亿美元用于销售和市场营销。OpenAI去年销售额为130亿美元，其支出约为年收入的2.6倍。此外，OpenAI去年的净亏损为390亿美元，较前一年的50亿美元大幅增加。不过，报道称，如果剔除过去公司治理重组期间产生的非现金会计成本和股票补偿支出，实际亏损约为80亿美元。目前，公司正准备进行IPO，目标估值超过1万亿美元。

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

据外媒报道，英特尔宣布其18A制程节点的升级版本“18A-P”，已正式进入风险生产（risk production）阶段。英特尔18A-P制程基于去年第四季度量产的18A，针对数据中心CPU以及人工智能和高性能计算 (HPC) 半导体的生产进行了优化。与18A相比，18A-P在相同功耗下性能提升高达9% ；在相同性能水平下，功耗最多可降低18%。此外，英特尔计划利用18A-P生产“Diamond Rapids” CPU 芯片，预计将于明年发布。

当地时间6月16日，美股三大股指涨跌互现。截至收盘，道琼斯工业指数涨0.64%，报51999.67点，创历史新高；标普500指数跌0.57%，报7511.35点；纳斯达克综合指数跌1.15%，报26376.34点。其中，大型科技股表现分化，AMD跌超7%，高通跌超3%，英伟达跌超2%，微软跌超1%，亚马逊跌0.01%，谷歌A、谷歌C均涨超1%，苹果涨0.95%；存储板块涨跌不一，西部数据涨超4%，希捷涨超1%，美光跌超6%，闪迪跌超5%。

随着基于LPDDR5X的服务器CPU逐渐量产并大力商用推广下，LP5X服务器市场应用进一步扩大，而服务器市场对高频率LP5X需求显著增长驱动下，海外原厂供应更多的转向服务器市场的同时，面向手机、PC市场的供应快速收紧。部分存在供应缺口的消费类客户向原厂争取包括次级规格资源在内的供应支持，分货有限下令海外原厂LP5X资源持续缓慢走高且居高不下，存储厂商新采购成本不断被刷新。而LP5X更多的应用于高定价的高端设备，相对来说该客户群具有更高的价格接受度。而LP4X虽也饱受高昂的资源成本压力，但易受低端方案冲击且存储厂商间竞争出货，导致LP4X拉涨力度不及LP5X，由此，同容量的LP4X与LP5X之间价差正被逐渐拉开。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 涨 1% 至 $101.00，LPDDR4X 48Gb 涨 1.33% 至 $76.00，LPDDR4X 32Gb 涨 5.45% 至 $58.00，LPDDR4X 16Gb 涨 4.84% 至 $32.50；LPDDR5X 128Gb 涨 1.81% 至 $225.00，LPDDR5X 96Gb 涨 1.82% 至 $168.00，LPDDR5X 64Gb 涨 5.00% 至 $105.00，LPDDR5X 48Gb 涨 6.58% 至 $81.00，LPDDR5X 32Gb 涨 7.41% 至 $58.00。

经历近一个季度的震荡调整后，近期行业DDR5次级资源价格整体趋稳甚至个别呈现微涨，不过上游资源价格之间仍存在一定的价差，个别高价DDR5次级颗粒ASP已超过1.60美金/Gb，尽管部分存储厂商拉高相应成品报价，但现阶段大陆市场调涨仍十分吃力。值得注意的是，近期出现个别PC终端向原厂锁定一定规模的DDR5次级颗粒供应，预计下半年该资源市场流通将显著减少，行业存储厂商获取供应支持也将更加艰难。本周行业市场SSD及内存条维持上周报价。

尽管渠道市场尤其是零售端市场需求持续低迷，继部分渠道品牌贸易零售价逐渐企稳缓涨仅一周时间后，近日再次走回震荡下修通道。但由于部分渠道DDR5颗粒供应紧缺，且存储厂商拥有少量渠道整机客户的订单支持，本周渠道DDR5内存条继续小幅上涨，渠道DDR4内存条、SSD价格维持不变。

内存条(渠道市场)：DDR5 UDIMM 8GB 5600 涨 2.44% 至 $84.00，DDR5 UDIMM 8GB 6000 涨 2.30% 至 $89.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 0.67% 至 $150.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 1.31% 至 $155.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 0.78% 至 $257.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 0.75% 至 $267.00。

据媒体报道，华硕正式推出ExpertCenter Pro ET900N G3工作站，目前已在多家零售商上架，最低标价99999美元。ET900N G3搭载NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片，将72核ARM Neoverse V2处理器与Blackwell Ultra GPU封装在一起。CPU端配备496GB LPDDR5X内存（带宽396GB/s），GPU端配备252GB HBM3e显存（带宽7.1TB/s），两者合计内存容量达748GB，可合并处理更大的AI模型。

据韩媒报道，三星电子正在开发和运营“数据共享生态平台（DSEP）”。目前，参与该平台的公司数量已超过60家，主要为设备供应商，并且合作伙伴数量还在持续增长。该平台用于与材料、零部件和设备领域的供应商实时共享半导体工艺数据，三星将其扩展为基于人工智能的工厂运营系统，最终为无人晶圆厂的建设奠定基础。

据业界消息称，DeepSeek 以非寻常的交易结构，完成创纪录的超 70 亿美元融资，估值超过 500 亿美元。这是国内AI 行业迄今规模最大的单轮融资。消息称，此轮融资采用了一种不寻常的结构，赋予投资者经济权益，但没有投票权，腾讯控股、宁德时代、京东、网易和 IDG 资本参与了此轮融资。投资者还将面临五年的锁定期，并且预计不会获得董事会席位。

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。