据业界消息，三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发，正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s，后续计划提升至17600MT/s，达到现行DDR5最高速度（约8000MT/s）的两倍以上。

三星原本计划在今年下半年实现量产，但内部采取了谨慎态度，将量产准备批准（PRA）期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试，1c DRAM的良率已达到65%。

陈立武表示，英特尔将不再执行「先建厂再找客户」的策略，不相信只要盖好工厂，客户就会自己出现。他支出，此前激进、大举扩张的策略，导致厂区分散、产能闲置，并强调未来将依据客户实际下单情况来决定是否扩建产能，所有投资将回归经济效益，不再「乱开空白支票」。

此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能，将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉，SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。

SK海力士计划在今年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层产品量产。考虑到可能出现的额外需求，该司正在评估扩大相关HBM生产规模所需的材料及零部件采购方案。

值得注意的是，自2009年奇梦达破产后，欧洲已无大型存储芯片制造企业，全球存储芯片产业主要集中在东亚地区。若FMC成功转型为IDM，将有望重塑欧洲半导体产业格局，提升欧盟在关键芯片领域的自主可控能力和供应链韧性。

7月前20天韩国出口额较去年同期下降 2.2%，至 361 亿美元。部分原因是由于美国关税政策持续存在不确定性，韩国对美国和中国大陆的出口减少。

公告称，募集资金扣除发行费用后，寒武纪将主要用于面向大模型的芯片平台项目、面向大模型的软件平台项目及补充流动资金。