K2工厂原计划是2023年完工并稼动,投产后,整体北上工厂产能将扩增至现有产能的近2倍。此前由于存储市况不佳,该工厂延期至2024年完工。
吴大畏先生在演讲中,探讨了存储芯片和AI端侧设备未来应用的方向,这些方向虽不一定都会成为未来,但无疑具有引领市场的潜力,可能预示着真实的未来趋势。
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晶豪科技表示,现阶段的关键在于下半年消费性需求是否能回升,以在手订单观察第三季营运,终端销量呈现小幅成长,预期营收表现可大致持稳。
G.SKILL宣布新款 Trident Z5 Royal Neo系列推出了超低延迟规格的 DDR5-6000 CL28-36-36-96 32 GB(2x16GB)和 64 GB(2x32GB)套装容量,以及 DDR5-6000 CL28-38-38-96 48 GB(2x24GB)和 96 GB(2x48GB)套装容量,专为兼容 AMD AM5平台而设计。
FDP技术可智能地在 QLC 闪存中分配数据,从而优化可用存储单元的使用并最大限度地减少写入放大的影响。FDP 算法根据工作负载和使用模式动态调整数据放置,确保最常访问的数据存储在 SSD 速度最快、最耐用的区域。这可以提高性能、延长耐用性和增强可靠性。
SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps(每秒32千兆字节)的运行速度,其与前一代相比提高了60%以上,根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上,可支持每秒1.5TB(太字节)以上的数据处理,其相当于在1秒内可处理300部全高清(Full-HD)级电影(5GB)。
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Amkor计划斥资20亿美元在美国亚利桑那州建设一座先进半导体封装工厂,预计3年内即可投入生产。美国商务部计划提供 2 亿美元的政府贷款和4 亿美元的补贴。此外,该项目还将享受高达25%的投资税收抵免。
Techwing强调,目前HBM良率约为65%,使用其新设备可大幅降低探针卡这种消耗品的成本。
据韩媒韩国经济日报(hankyung)报道,NAND闪存与固态硬盘公司Solidigm或将在美国进行首次公开募股(IPO)。
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三星电子计划将其高带宽存储器(HBM)的组装检测工艺外包给子公司STeco,以应对产能需求和改善生产效率。STeco将投资335亿韩元用于新业务的基础设施投资,预计2025年内完成投资。此举可能标志着三星电子HBM产品后道工序的外包化。
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SK海力士计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品,也将根据竣工时的市场需求,做好生产另外产品的准备。
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长电微电子晶圆级微系统集成高端制造项目总投资额100亿元,一期建成后,可达年产60亿颗高端先进封装芯片的生产能力。
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宇瞻表示,上年除了AI服务器应用动能外,其余领域市况持续疲弱,现阶段营运回升关键在于消费性需求是否回升,第三季则将是重要观察指标;整体来看,随着库存去化告一段落,预期拉货力道会有所增强,相关效应可望持续到第四季。
SK海力士称,已与主要客户完成了明年 HBM产量的讨论,并据此预测明年的出货量。