三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物(InGaO)的晶体管,这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温,从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm,可以与单片 CoP DRAM 架构集成。
铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列,采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存,PCIe Gen5x4接口,顺序读取速度高达 10,000 MB/s,写入速度高达 9,600 MB/s,容量最高可达 2TB。
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今年,博通已将三星电子视为战略合作伙伴,以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性,具体而言,据报道,三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。
铠侠宣布,其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。
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此外,ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发,为下一个十年的芯片制造铺路。
展望2026财年第一季度(2025年11月-2026年1月),博通营收预计将达到191亿美元,同比增长28%,高于分析师平均预期的183亿美元。
半导体作为韩国主要出口产品,12月前10天出口额同比激增45.9%,达52.7亿美元,占出口总额的 25.6%,比上年增长5个百分点,引领了整体出口增长。
群联目前仍握有成本相对较低的库存,将成为未来出货与获利扩增的基础。随着AI带动云端存储量急增,而NAND原厂扩产依旧保守,供需紧俏将持续支撑报价与营运表现。
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据日媒报道称,为抢攻AI数据中心需求,铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层。
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据知情人士透露,SK海力士现在决定至少在明年上半年之前,保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时,大幅增加了HBM3E的产量,远超预期。
按产品线来看,威刚11月DRAM占整体营收比重拉升至64.98%,SSD占比为23.45%,存储卡、U盘与其他产品为11.57%。
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十铨未来将将集中投入Gaming、AI与Creator、云端与Edge computing,以及工控与IoT/AIoT应用等四大领域,且将不会再把资源分散在标准品市场,而是朝高附加价值市场深耕。
SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”,并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。
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