目前3D DRAM研究最活跃的公司是美光。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利,估计是其竞争对手的两倍多。

专家预测,如果在安装TEL演示机后评估结果良好,三星电子的氧化蚀刻设备份额将发生较大变化。据了解,在三星电子3D NAND闪存生产过程中,沟道孔的钻孔工艺将采用TEL混合氧化物刻蚀设备。

美光在会谈上表示,为了量产下一代DRAM、将扩大对广岛工厂的投资;英特尔表示,在后段制程上、将扩大和日本芯片设备商的合作;三星表示将在日本设立后段制程的研发投资中心;应用材料表示,将和日本官民半导体企业Rapidus加强合作;正在熊本县兴建工厂的台积电也表示、将进一步扩大在日本的投资。

为了巩固行业领先地位,美光现已开始向亚洲、美国和欧洲的工业、汽车和消费者客户发货其在广岛制造的基于1-beta 的 LPDDR5X 内存。该产品可为人工智能、智能车辆和虚拟现实提供低功耗和高性能。

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NOR Flash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发,目前512Mb、1Gb大容量NOR Flash产品都已有样品可提供给客户。

项目拟利用中厨大厦改造装修建设eMMC产品线及研发中心。项目计划在2023年三季度建成并进入批量生产阶段,届时公司系列存储模组产能在原大浪工厂产能基础上得以扩充。

与上一代产品相比,三星最新的12纳米级DDR5 DRAM功耗降低了23%,晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现,使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

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外媒报道,据称,美光科技公司从日本政府获得约2000亿日元的财政补贴,以助其在日本广岛生产最先进的DRAM。

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