报道称,SK Siltron已于6月完成10nm级第四代(1a)DRAM的抛光晶圆开发,预计2022年下半起开始供应三星、SK海力士等。
未来根据市场需求,三星计划在平泽3号线扩建和建设基于EUV工艺的DRAM和5纳米以下代工工艺等各种先进生产设施。
兆易创新推出的DDR3L GDPxxxLM系列产品采用长鑫存储(CXMT)先进工艺制程,符合JEDEC标准,读写速率为2133/1866 Mbps,容量为2Gb/4Gb,支持1.5V和1.35V两种电压。
主力产品编码型闪存(NOR Flash)还未看到乌云,高阶产品没有供过于求问题,有的产品还可涨价,而只读存储器(ROM)下半年进入出货旺季,第3季出货可望倍增,仅SLC存储型闪存会小幅衰退,看好下半年营收将会季季高。

