三星电子已经大量转进50奈米DDR3制程,台湾的南科、华亚科等DRAM厂,也开始将产能跟进转入50奈米。但可以生产DDR3的颗粒厂商并不多,因此第三季DDR3有可能出现缺货的情况,估计供不应求状态将在第三季出现。
DRAM厂力晶(5346)董事长黄崇仁表示,第二季因为PC零组件缺料严重,导致第二季DRAM价格走软,不过在缺料情况逐渐纾解下,仍看好第三季传统旺季,DRAM价格将有机会回到1.5元
近日,包括朗科、三星等知名存储厂商均纷纷推出了16G闪存盘和500G的移动硬盘,在移动存储领域掀起了一场“海量风潮”。
NOR Flash和中小尺寸面板模组缺货状况到第3季仍难改善,可能抑制山寨机第3季出货量,并可能影响联发科第3季营收
Rambus发布全新的7.2Gbps XDR记忆体系统,内含Elpida新推出的1Gb XDR DRAM以及XIO记忆体控制器,与GDDR5控制器相比,XIO记忆体控制器的功耗效率高出3.5倍以上
台塑集团与美光的合作持续进行,旗下的南科(2408) 本月更将如期完成私募案,华亚科(3474)的GDR同步启动,在DRAM目前有钱有希望的条件下,南科、华亚科有富爸爸撑腰,已先站稳产业复苏时的先发位置
内存龙头三星昨(24)日宣布,最快年底制订相变化内存(PCM)共同规格,明年推出兼容产品,引爆PCM取代既有Flash制程商机。
三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战,亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片,且已陆续送样给控制芯片厂,这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力,亦将影响NAND Flas
台塑集团大力支持之下,华亚科股价凌厉,最近一周以来已经大涨逾7%,外资法人昨日强力回补4,494张,外资持股水位攀升至40.43%。
6月下旬主流MLC NAND Flash (储存型快闪记忆体)合约价大致呈现持平或小跌,受到NAND Flash市场季底效应、淡季及新智慧型手机上市等多空因素的交互影响,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整。
三星电子近期已经开始联合闪存控制器设计合作伙伴,试产35nm工艺NAND闪存。此信号标志着闪存的30nm级工艺竞赛已经开跑。伴随工艺的提升,NAND闪存的主流容量也将升至32Gb。
DRAM股富爸爸效应延烧,台塑集团(1301)包下南科(2408)私募案,今强攻涨停板,南科子公司华亚科(3474)也受惠,随后也攻上涨停板,已向GDR暂定发行价14.5元靠拢;华新集团同样表达支持华邦电(2344),利多同步激励该股,今也有劲扬表现。
DDR3规格DRAM缺货,南科、华亚科目前已供货予OEM大厂,法人认为南科、华亚科在2010年将有较佳的竞争优势。
三星电子最近已开始向合作厂商提供35nm制程NAND闪存芯片的样品,而东芝此前也宣称下半年将开始32nm制程3-bit/cell MLC闪存芯片量产,这意味着32Gb存储密度将很快成为30nm级别NAND闪存市场的主流
据市调公司DRAM Exchange的调查,2009年,传统笔记本市场上的SSD硬盘使用率仅仅只有1-1.5%,而在低端市场SSD硬盘的占有率也只有不到10%