预估DDR3第三季短缺

存储器 中国闪存市场 jane 2009-06-29 07:45

      由于三星电子已经大量转进50奈米DDR3制程,台湾的南科、华亚科等DRAM厂,也开始着手改造制程,将产能跟进转入50奈米,使得DDR3的市场引起注意,包括宏碁、华硕等大厂,在下半年力推的新机种中,均搭配DDR3,加上可以生产DDR3的颗粒厂商并不多,因此第三季DDR3有可能出现缺货的情况,估计供不应求状态将在第三季出现。

     双A厂宏碁、华硕第三季均推出超低电压架构的小笔电(CULV)机种,由于DDR3具有省电的特性,因此相当适合应用在CULV的架构上,DRAM厂认为,虽然CULV架构不一定全部搭配DDR3,但DDR3却最适合应用在CULV的笔电上,然而反观供应面,可以供应的颗粒厂却非常少。

     目前生产DRAM的大厂分布在台、日、韩三地,然受到连续亏损的冲击,有能力扩产的厂商已经不多,封测厂预估,台湾有能力生产DDR3的厂商仅力晶、南科两大厂,力晶因身陷ECB偿还风暴,短期之内还无法着力在基本面上,因此目前仅南科、华亚科两大厂,还有能力按照规画投入DDR3制程。

     根据华亚科的规画,在制程改造上,将斥资16亿美元投入改造,13万片若全数投入50奈米DDR3制程,要到明年底才会改造完成,华亚科已经通过6.4亿股至8亿股的全球存托凭证募资计划(GDR),每股价格暂定14.5元,藉此将把资金全数投入50奈米,华亚科今年募资的上限为20亿股。

     第三季DRAM产业景气业者不看淡,认为欧美的需求虽然不好,但返校需求仍会撑住最基本的需求,在DDR3供应者少,需求有所提升之下,第三季DDR3恐怕会出现缺货的情况。

     除此之外,目前DDR2与DDR3的价差并不大,因此会引导OEM厂导入DDR3的意愿,目前推出的新机种就出现这个情况,第三季进入传统旺季,也会成为DDR3缺货的关键原因。

     以台湾目前最积极投入的南科、华亚科而言,以50奈米生产DDR3的状况,成本可以大幅降低50%,但是产出可以增加一倍,依照华亚科的说法,现阶段DDR3的报价,华亚科已经可以获利,但是目前华亚科的DDR3仍旧少量,且是以70奈米制程生产,必须以50奈米生产才可收降低成本之效。


 

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