三星冲刺PCM 引爆取代flash商机

存储器 2009-06-25 15:40

        内存龙头三星昨(24)日宣布,最快年底制订相变化内存(PCM)共同规格,明年推出兼容产品,引爆PCM取代既有Flash制程商机。台湾业者中,旺宏(2337)投入PCM领域多年,累积多项关键专利,将同步沾光。
       业者指出,PCM是解决Flash现有制程微缩物理极限的最佳方案,可让Flash速度加快500倍,且耗电量低于传统的Nor、NAND Flash,随三星加快PCM启动脚步,意味Flash技术将迈入新纪元,现有芯片制造业者都必须重新获得技术IP等授权,以Flash已导入3C领域来看,一旦技术大转换,拥有专利业者潜在的技术授权商机值得期待。 
         在台湾业者中,旺宏已投入PCM领域多年,并与IBM等合作,累积多项关键专利,是国际间PCM技术拥有者之一。 
    
     根据三星规划,将与由英特尔与义法半导体合资的恒忆(Numonyx)连手制订PCM新规格,最快今年底前敲定,并在明年推出兼容产品问世。
        内存业者指出,现有Flash技术已面临物理极限,以Nor Flash为例,在制程微缩至65奈米后,便会受限物理特性,无法借制程微缩达到成本效益,但透过相变化内存技术,将可突破既有技术的瓶颈限制。换句话说,相变化内存技术将是下一世代Nor Flash的最佳替代品

       新闻辞典/PCM相变化内存(Phase Change Memory;PCM)是利用特殊「相变化材料」的一种新兴内存技术。具有非挥发性、速度快、高容量、低耗能、謮写次数高等优点。 
        相变化内存兼具闪存的长时间储存功能,但更省电,可取代数字相机、MP3或手机储存数据的闪存,也具取代磁盘驱动器架势,有「万用内存」之喻。

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