全球内存市场2009年出现许多出乎业者意料之外的情况,包括NAND Flash价格几乎终年不坠,且价格还屡创高点,而DDR2芯片在供给不足
NAND Flash现货价和合约价双双上涨,主要是苹果新产品卖相极佳,罕见在9月还持续大力向NAND Flash大厂拉货,加上手机大厂纷纷备货高容量的NAND Flash芯片,赶搭内建内存的商机,导致现货市场的NAND Flash供应量出现严重短缺,因此价
由于NAND Flash涨价挹注获利,至上内部自结8月税前盈余约4,000万元、单月每股税前盈余0.54元,目前至上7、8月合计税前盈余约8,100万元、已超过上半年获利总和(7,200万元)。
中国十一长假的销售及假期过后库存回补强度,及欧美市场对NAND Flash相关应用产品的旺季需求情况也乐观,预期NAND Flash价格短期内仍可望维持坚稳的格局。
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值(MLC)NAND闪存的SSD(固态硬盘)。预定2009年10月开始面向个人电脑量产。该公司从09年7月开始量产32nm级NAND闪存。
Flash记忆体价格提高、储存型快闪记忆体(NAND Flash)合约价续涨,预期 9月营收将可望达到 29亿元到 31亿元,月增率 15–20%,预估今年和明年的每股盈余分别增加 10% 和 12%,维持创见表现优于大盘的评等,但目标价从 155元调降至
“2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭,产业链进一步整合是必然趋势,而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存,就必需尽快寻找到自己的重生之道。”
9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小幅上涨约1%到3%,展望未来价格走势,需视中国十一长假销售情况,以及欧美市场耶诞旺季需求,才可判定供货偏紧情况是否持续。
Flash(快闪记忆体)价格直涨,记忆体控制IC大厂群联(8299)9月营收将续创单月历史新高,第三季营运可超越财测预估二成的成长,获利亦可望创下今年单季新高。
9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小涨1%到3%,展望未来价格走势,需视中国十一长假销售情况,以及欧美市场耶诞旺季需求,才可判定供货偏紧情况是否持续。
受NAND Flash及标准型DRAM供货吃紧影响,友尚、至上9月营收应有机会因价格调涨大幅增加,但三星电子供货不顺,友尚、至上9月营收大幅成长减缓。
9月下旬的NAND Flash合约价格则是续涨,16Gb、32Gb和64Gb容量的芯片上涨2~4%不等,现货价格更是每日缓步垫高。
近期三星对外表示,DDR3缺货状况即将纾解,三星自有的DDR3产能将大量产出,市场解读为DDR3价格将开始下滑。白培霖表示,第4季DDR3的产能会增加,但第4季很多个人计算机大厂也换大量转换至DDR3平台,这一次转DDR3平台,就不会再转回DDR2了,因此
因为DRAM厂的机器设备闲置太久后,突然再回来生产,其实运作不是很顺利,因此很多产能会递延产出,且此情况普遍发生于所有DRAM厂,并非特定的DRAM厂,也使得近期DDR2芯片开始出现短缺的情况。
尽管9月到10月是NAND Flash下游客户的传统旺季,但部分NAND Flash颗粒价格今年以来已大涨将近两倍以上,不利于第四季销售旺季进行促销活动。