DRAM厂获利在望 通路商及贸易商酝酿先下车

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-09-28 08:17
全球内存市场2009年出现许多出乎业者意料之外的情况,包括NAND Flash价格几乎终年不坠,且价格还屡创高点,而DDR2芯片在供给不足、但需求持续加温下,近期涨势更是一步到位,1Gb容量现货价直奔2美元,提前来到业者心中所设立目标价,上游大厂受惠价格回升,预期短期内有机会转亏为盈。不过,下游通路商及贸易商表示,由于2美元价格是市场所默认近期顶点,不论价格是否续涨,都有在此先下车获利了结的心里准备。
近期1Gb容量DDR2芯片包括有效测试颗粒(eTT)和品牌颗粒都出现大涨情况,直奔市场之前所认定目标价位2美元,不仅使得下游通路商和模块厂大享库存涨价利益,上游DRAM厂转亏为盈之路亦向前迈进一大步。内存业者表示,这次DDR2涨势表现如此强劲,主要是PC大厂需求端之前受限于DDR3产能不足,遂将大部分DDR3平台新机种转至DDR2平台,使得原本快被市场淘汰的DDR2旧规格产品起死回生,再度出现买气热络景象。
内存业者指出,在DDR2供给端方面,尽管台系DRAM厂近几个月已开始逐月增产DDR2芯片,但由于机器设备闲置太久,突然进行增产动作,生产线良率并没有快速回到应有水平,因此,在实际产出上受到限制,供给! 量较预期减少,进而推升DDR2价格持续升温。
随着近期1Gb容量DDR2现货价直奔2美元,部分通路商和下游厂都坦言,已有暂时先下车、获利了结的打算,因为这波DDR2价格涨势又快又猛,大部分下游厂都有一定获利入袋,加上认定目前应已达到短线高点。不过,亦有不少业者认为,接下来涨势将由DDR3接棒,届时DDR3价格再攀高之后,将有助于DDR2价格维持高档坠。
值得注意的是,随着1Gb容量DDR2价格回到2美元水平,上游DRAM厂开始见到转亏为盈的契机,包括力晶、华亚科、南亚科和茂德等DRAM厂,距离获利之路已愈来愈近。

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