近期DRAM和NAND Flash价格都表现相当强势,NAND Flash芯片缺货行情带动9月下旬的合约价持续上涨,现货价也跟着反应,1Gb容量DDR2现货价在市场供货相当吃紧下,已提前站上1.9美元,距离南亚科看好的2美元关卡,仅剩下一步之遥,反映市场供给真的很吃紧。
根据业者透露,虽然台系DRAM厂包括力晶、茂德、南亚科和华亚科都开始增产,但发现很多机器设备的产能在闲置一段时间后,目前生产其实过程并不顺利,因此也使得DDR2供给不如预期,而之前涨势减缓的DDR3芯片,价格依旧站稳2美元之上。
随着DRAM产业景气回春,价格开始触底反弹,台系DRAM厂从2009年第2季就开始增加投片量,希望能赶上第3季的传统旺季,但业界始料未及的是,原本闲置数月的机器设备,在开始增加产能投片后,其实运作状况都不如预想中的顺利,此情况相当普遍,业界透露,几乎每1家增产的DRAM厂都遇到类似状况,也使得近期DDR2芯片相当短缺。
DRAM厂则表示,近期DDR2身价水涨船高,主要还是因为个人计算机大厂之前将平台由DDR3转回DDR2,所带动的供需吃紧之故。南亚科也表示,到了第4季后,DDR2平台会再转回DDR3平台,这一次的转换,会确立DDR3主流制程的!地位,届时DDR3会接棒DDR2供给吃紧的情况。
根据报价,1Gb容量DDR2现货价已站上1.9美元,DDR3 f价则站稳2.12美元。此价格距离2美元目标只剩下一步之遥,让各厂在站上现金成本水位后,再度往转亏为盈之路迈进。
在NAND Flash市场方面,近期受到苹果(Apple)包产能和智能型手机内建内存趋势的带动效应下,市场供给持续短缺,内存模块厂也四处追货,但对于即将进入传统备货淡季,市场则未脱离保守看法。认为要视大陆市场在十一长假过后,补货力道是否会持续而定,再者欧美市场的圣诞节买气,也左右NAND Flash市场可否继续旺下去的关键。
9月下旬的NAND Flash合约价格则是续涨,16Gb、32Gb和64Gb容量的芯片上涨2~4%不等,现货价格更是每日缓步垫高。
部分业者也认为,2009年NAND Flash芯片价格实在涨太快了,对于第4季的促销活动并不看好,消费者对于太贵的产品,通常兴趣不大,因此对于虽然现在是基于缺货因素而积极回补库存,但也相当注意库存的控管,以免市场状况反转而措手不及。