DRAM价格拉出一波涨势,力晶预期第四季营运挑战转亏为盈,今日下午将举办法说的南科、华亚科第四季营运亦可望具有转机,法说会受到各界关注。
DRAM产业再造方案,力晶(5346-TW) 提案成立台湾快闪记忆体公司 (TFC),成为今(21)日市场焦点,加上DRAM价已回到 2年前水准,力晶董事长黄崇仁率先喊出第 4季转亏为盈,激励力晶股价今天开盘跳空涨停;
力晶已经送出台湾快闪记忆体公司(TFC)申请计划,总投资金额200亿元,台当局注资不超过80亿元,TFC的技术从力晶与日本瑞萨半导体早先合作的Flash合作为出发点,利用已经有的技术、研发团队、产能,100%符合官方规范的四大要件。
经济部「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期,却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件,形同退出这次计画;
目前DRAM价格已经来到2.5美元,力晶目前以65奈米制程生产,总成本约1.6美元,目前已用满载产能8万片投片中,预计第4季可单季转亏为盈。
目前DRAM价格维持在2.5美元,是很健康的价位,创见第3季获利持续攀高,第4季营收可再比第3季往上,2009年记忆体景气没有淡季!
10月20日,据台湾媒体报道,台湾动态随机存取记忆体(DRAM)制造大厂--力晶半导体表示,已向台湾当局递交文件,初步申请45亿元新台币(合约9.518亿元人民币)补助。力晶董事长黄崇仁指出,力晶也提议设立快闪记忆体(Flash)厂。
美光充分利用其成熟的34纳米NAND工艺,开发了使用寿命更长的企业级NAND产品,以满足客户的要求。这些产品让企业有了极为可靠的多层单元或单层单元结构的NAND闪存解决方案,用于更广泛的企业存储平台。
NAND快闪记忆体零售市场年营收估算已达 120亿美元,而随着手机市场不断蓬勃发展,预计 2008 到2011 年间,市场对数位记忆卡的需求量将成长2倍以上。据调查,相较2008年只有 51%的手机有记忆卡插槽,2011年预估将有 61%以上的手机都将内建
在2008~2011年间,全球市场对快闪记忆卡的需求量将成长2倍以上,三星提供的高阶记忆卡产品线,将提供消费者对更高容量和效能的记忆装置的需求。
10月20日是经济部「DRAM产业再造方案」送件的最后期限。立法院经济委员会关切DRAM前途的立委19日几乎一致要求,在政府国发基金还未投资之前,经济部的DRAM产业再造方案应赶快煞车,或「下车」、「了断」。
三星「Plus系列」记忆卡诉求耐撞击、防水,更能抗电磁干扰,确保数码资料安全。在外型上,强调采极具现代感银面的金属发丝纹或米色环氧树脂复合外壳处理。
台湾“经济部”开放动态随机存取记忆体(DRAM)厂申请“国发基金”注资案,即将于今(20)日截止。截至昨天为止,仍只有台湾创新记忆体(TMC)送件。官方预期,台塑集团的南亚科和力晶今天有可能递件,最多可能出现三家厂商争取台当局补助款的情况。
惠于DRAM价格回升,业者有能力继续开出产能的厂商已经不多,DRAM厂第三季营运相继传来捷报。尔必达公布新闻稿,指7月至9月的会计年度中,本业营益已经转亏为盈,单季盈余达5亿元,单季净损因此从444亿日圆降至80亿日圆,成为最近8个季度以来,首次本业获利的