力晶半导体赶在昨(20)日,正式向台湾“经济部”工业局递出DRAM产业再造方案申请书,力晶董事长黄崇仁表示,力晶已经送出台湾快闪记忆体公司(TFC)申请计划,总投资金额200亿元,台当局注资不超过80亿元,TFC的技术从力晶与日本瑞萨半导体早先合作的Flash合作为出发点,利用已经有的技术、研发团队、产能,100%符合官方规范的四大要件。
力晶董事长半导体黄崇仁这阵子沉寂已久,昨(20)日亲自说明提出申请计划书的原由,这次被黄崇仁视为“超完美产业再造方案”,并将力晶未来发展方向瞄准快闪记忆体,有意为力晶强力塑造转型机会。
黄崇仁表示,他已经与“经济部长”施颜祥讨论过,TFC完全符合官方规范的申请要件,才会正式递出。
根据力晶的构想,将分二阶段投资200亿元,官方出资不超过80亿元,第一阶段投资100亿元,官股、民间资金各为45亿元、55亿元。
除此之外,TFC也列出三阶段发展计划,包括从Flash Design House起跳,第二阶段整并出4万片Flash产能,第三阶段整并其余产能,将Flash产能扩充到8万片至12万片,中、长期来说,将会纳入上下游厂商、封测厂、模组厂。
黄崇仁强调,力晶从2005年承接日本瑞萨半导体AG-AND Flash技术,从当初承接的90奈米,目前已经进入40奈米量产,30奈米研发计划也已经启动,70奈米、40奈米产品已经开始销售,研发团队从当初的500人跃升至2,000人,累计投资金额已达75亿元,申请专利也有445个,是100%的自有技术,完全没有技术移转、技术授权、权利金的问题,是唯一一家没有授权问题的公司。
黄崇仁说,目前美国、韩国的记忆体厂中,只有台湾是只做DRAM不做Flash,在Flash生产地区中台湾缺席,但台湾却是日、美眼中最有生产竞争力的地区,此外,依照力晶的规划,投入Flash的产能等于降低DRAM的产能比重,对减缓DRAM景气波动有正面帮助。
一般来说Flash技术领先DRAM技术一至二个世代,Flash技术只要突破第一代,未来技术的延伸性没有问题,而DRAM产业由于每进入一个新世代,就必须更换材料,导致新设备的投资庞大,源源不断的资金投入是沉重的负担。