创见第三季受惠DRAM及NAND Flash报价上涨,加上通路商及代理商对旺季需求心理提前备货,单季营业毛利年增率近95%,毛利率16%,税后纯益11.4亿元,创历史新高,每股税后纯益2.5元。
NAND Flash控制晶片大厂慧荣日前接获来自2家大型记忆卡大厂的SD控制晶片订单,成功Design-in进入高效能SD卡,同时也宣布支援NAND Flash新技术3-bits-per-cell的控制晶片已成熟,可望抢搭3-bits-per-cell列车
NAND Flash产业来看,由于上游制造厂有限,目前全球只剩下4大阵营,包括三星电子、东芝、英特尔、美光、海力士、加上2009年NAND Flash价格从年初开始飙涨,现在还处于高价水准,因此NAND Flash产业上游制造厂其实毛利相当高。
2009年记忆体产业没有淡季,记忆体模组厂获利更是丰收,威刚2009年受惠DRAM模组OEM订单加持,加上货源调配得宜,第3季营收和获利均让市场相当惊艳,董事长陈立白预告记忆体产业在供给大减,但需求增加下,未来将有2年的好光景,2010年可望回到2006、
受惠DRAM价格谷底翻身,台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小,合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元,累计前3季亏损731亿元,其中茂德亏损最多,华亚科亏损金额最小,展望第4季,DRAM价格持续走强越过2.5美元后,颇有朝3美元
三星电子公布第三季获利,受惠于存储器价格回温、LCD TV、手机销售成长,单季获利达3.72兆韩元(31.4亿美元),年增率达三倍,合并获达4.23兆韩元,优于3.92兆韩元的预期。
威刚(3260-TW) 第 3季财报出炉,单季营收季增 62.9% ,且受惠记忆体价格先低后高,低价库存成本效益发挥,单季毛利季增 78.5%,毛利率10.28%,税后净利大增 78.4%,每股税后盈余来到3.42元;
Intel与Numonyx BV 29日宣布发现一项突破性的相变储存器(phase change memory , PCM)研究成果,这项崭新的非易失性(non-volatile)储存器技术结合了目前各种储存器的优势。
本季唯读记忆体(ROM)受传统淡季影响,出货降温,但NOR Flash供不应求,预期旺宏两年内在NOR Flash领域将可挤下三星,抢进全球前三大。
NOR Flash供不应求严重,2009年第3季传统旺季中,NOR Flash营收贡献首度超过ROM,也计划再度扩充NOR Flash产能,除了12吋晶圆厂计画仍如火如荼谈判,希望在2010年初有结果外,也计划增购8吋晶圆产能
从各家大厂在通路上的布建脚步快速观察,未来受到记忆体景气的冲击影响将愈来愈小。
据国外媒体报道,英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本。
近日新加坡特许(Chartered)与全球晶圆(Global Foundries)合并,新加坡特许原本就已经排名第3,挟全球晶圆的势力,直接挑战二哥联电的地位,联电岂能不坐立难安。
第三季因DRAM及NAND Flash报价双双上涨,加上通路商及代理商对于第三季旺季需求心理提前备货,促使记忆体相关产品出货数量创今年新高。
创见分析,第三季的营运表现优异,系因应传统旺季来临,加上DRAM及NAND Flash颗粒价格双双上涨,创见库存管理得宜,及策略性产品稳定成长的销售贡献,均是获利创历史新高主因。