NAND Flash控制晶片大厂慧荣日前接获来自2家大型记忆卡大厂的SD控制晶片订单,成功Design-in进入高效能SD卡,同时也宣布支援NAND Flash新技术3-bits-per-cell的控制晶片已成熟,可望抢搭3-bits-per-cell列车。慧荣合计第3季行动储存产品控制晶片出货量较第2季成长21%,第3季整体控制晶片出货量达6,700万颗。
慧荣总经理苟嘉章表示,3-bits-per-cell技术的NAND Flash产品在未来几年内将跃升为市场主流趋势,慧荣已推出支援的控制晶片,满足行动产品对于低成本的需求,支援对象包括新帝(SanDisk)和东芝(Toshiba)43奈米和32奈米、三星电子(Samsung Electronics)42奈米和32奈米。
此外,针对各家NAND Flash大厂在MLC技术制程逐渐推进至30奈米阶段,慧荣也推出相关支援的控制晶片,支援产品包括新帝和东芝的32奈米、三星的35奈米和32奈米、海力士(Hynix)的32奈米制程。
慧荣在储存产品上也再传捷报,日前接获2家大型记忆卡客户的SD控制晶片订单,进入Design-in阶段。整体来看,慧荣第3季整体控制晶片出货量为6,700万颗,较上季增加24%,以行动储存产品来看,出货量较上季增加21%。
慧荣第3季营收为2,300万美元,较第2季增加14%,不含酬劳费用(员工认股权证)毛利率为48.5%,Non-GAAP税后净利约80万美元,每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.02美元。预估第4季营收成长率介于持平至10%间,毛利率为46~48%。