Intel与Numonyx取得研究突破 为可扩展密度更高相变储存

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-30 08:41
Intel与Numonyx BV 29日宣布发现一项突破性的相变储存器(phase change memory , PCM)研究成果,这项崭新的非易失性(non-volatile)储存器技术结合了目前各种储存器的优势。研究人员首次展示了能够在单一矽晶上堆叠或放置多个PCM阵列的64Mb测试晶片。这些研究成果为制造容量更高、能耗更低的储存器设备作好准备,能够为随机存取非易失性储存器和储存应用降低所占用的空间。
这项成果由Numonyx和英特尔联合开发,双方一直共同探索在多层或堆叠式PCM单元阵列方面的研究。 Intel和Numonyx的研究人员现在能够展示名为相变储存器与开关(phase change memory and switch , PCMS)的垂直整合型储存器单元。 PCMS由一个PCM组件和新型双向定限开关(Ovonic Threshold Switch , OTS)以真正的交叉点阵列方式组成。堆叠多层PCMS阵列的能力提供了实现更高储存器密度的可扩展性,同时保持PCM的性能特征,而基于传统储存器技术则越来越难以实现。
Intel院士兼储存器技术开发总监Al Fazio表示,将会继续开发储存器的相关技术,以推动运算平台的进步。这项研究里程碑的成果令人振奋,认为对于扩展储存器在运算解决方案中的作用以及提高性能和储存器扩展能力, PCMS等未来储存器技术至关重要。
Numonyx公司高级技术院士Greg Atwood表示,这项研究成果大有可为,打开为PCM产品开发密度更高、可扩展的阵列和类似NAND使用模式的可能性。传统快闪储存技术一直面对物理限制和可靠性问题,然而从手提电话到数据中心等设备对储存器的需求却越来越高,因此这项研究成果意义极为重大。
储存器单元通过堆叠储存组件和选择器而制造,由几个单元构成储存器阵列。 Intel和Numonyx的研究人员能够将薄膜以及双终端OTS部署为选择器,其物理和电气特性非常适合PCM扩展。现在,薄膜型PCMS的兼容性让多层交叉点储存器阵列成为可能。分层阵列一旦整合起来,并按照真正的交叉点阵列进行嵌入,可与CMOS电路结合,用作解码、传感和逻辑功能。
在12月9日即将在美国巴尔的摩市举行的2009年国际电子设备大会International Electron Devices Meeting (IEDM)上,两家公司将联合发表标题为可堆叠交叉点相变储存器 A Stackable Cross Point Phase Change Memory的论文,披露更多有关储存器单元、交叉点阵列、实验以及结果的详情,这篇论文由Intel和Numonyx的技术人员共同撰写,英特尔高级首席工程师DerChang Kau将于会上进行相关演讲。

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