南韩记忆体晶片大厂Hynix Semiconductor 20日宣布,40奈米製程2Gb DDR3 DRAM已经通过英特尔的认证程序,现已开始量产。Hynix指出,40奈米生产效率较50奈米高出60%以上,且耗电量仅有50奈米产品的60%。

欧美圣诞旺季拉货期进入尾声,DRAM需求减缓,一周以来现货价出现较明显的修正,DDR2 1Gb约比最高回档一成。法人预期,接下来中国新年拉货需求力道相对缓和,但因供需还算平衡,预估DRAM回档幅度不会太深。

英特尔预期明年电脑关键零组件可能缺货,市场供给吃紧的DRAM族群昨(19)日出头表态,指标股南科(2408)、华亚科(3474)、华邦(2344)均逆势收红,南科更一度碰触涨停板。

受到微软 Windows 7 新系统软体上市的牵引,国际 DRAM 价格出现空前好景,日本市场上的 DRAM 价格出现年初以来的 3.5 倍上涨,不景气的寒风中DRAM业者终于扫除了多年的阴霾。

全球最大内存制造商三星电子(Samsung Electronics)计划于2010年将全球DRAM市场市占率提升至45%。

明年PC市场需求看俏,英特尔指出DRAM在明年上半年可能缺货,南科(2408)、华亚科(3474)转进50纳米最具成本优势,盘中南科爆量强攻涨停,华亚科也有买盘积极涌进。

由于记忆体类产品现阶段需求持续相对平稳,电子材料通路商利机(3444)记忆卡基板(FMC)及DRAM封装用基板(BOC Substrate)接单表现亦持续热络

内存模块厂创见宣布与易搜比(esobi)展开策略联盟,于4GB容量JetFlash V33系列随身碟中,搭载完整版eSobi软件,提供免费RSS阅读器、跨网搜寻和个人资料库功能功能,目前交由灿坤独家销售。

拓墣产业研究所于18日举办“2009年ICT产业景气预测研讨会”,其资深分析师刘舜逢提出,2010年整体台湾IC业成长率预估能有超过11%的正成长,但成长幅度较大的产业来自于半导体制造,将会有近20%的成长幅度。

政府 DRAM 产业再造方案日前遭立法院经委会决议喊停,经济部长施颜祥昨天表示,仍会持续向立委沟通,但他也坦承,「台湾创新内存公司 (TIMC) 是解决 DRAM 产业问题的方法之一,但不是唯一选项」。

内存作为三大件的重要配件,其价格波动一直以来都牵动着不少用户的心。2008年内存价格一路下滑。2009年由于上游渠道供货不畅,加上终端需求较为疲软,造成内存市场价格走势以涨为主。

NAND Flash淡季效应已经逐渐蔓延到DRAM产业上,近期DRAM价格开始走软。

上周立院经委会要求经济部停止推动DRAM产业再造方案计划,经济部长施颜祥指出,台湾DRAM产业结构依旧没变,若下次景气又下坡时仍是一样,「问题根本没解决」。

在策略上,首先会慢慢往高密度移,跟欧美国家相比,高密度的我们有很强的竞争力,第二个透过制程技术的改善,另进到手机中低容量的NAND。

兴柜记忆体模组厂宇瞻(8271)强化利润较高的数位影音应用等加值型产品线策略布局,总经理陈益世预期,宇瞻明年营收将以年增三成为目标,最快明年下半年申请转上市。

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