三星电子计划2010年将DRAM市占率提升至45%

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-11-20 08:46
全球最大内存制造商三星电子(Samsung Electronics)计划于2010年将全球DRAM市场市占率提升至45%。
三星高层透露,三星看好内存芯片市场的未来展望,计划于2010年将全球DRAM市占率提升至45%,同时,这项策略代表三星将从2009年预期的36%市占率,提升9个百分点。
三星发言人Kin Choon-gon不愿证实这项消息,表示此讯息相当敏感,仅透露三星预期2010年在DRAM市场市占率将些微增加数个百分点。
此外,三星高层表示,受惠于智能型手机销售增加,三星也计划2010年将于NAND Flash市场的市占率由2009年预期的40%提升至45%。
三星于DRAM和NAND Flash市场皆为领导厂商,根据研究机构DRAMeXchange资料,至2009年第3季为止,三星在DRAM市场市占率为31.1%,NAND Flash市场则为38.5%;此外,三星2010年的目标透露三星对内存芯片产业的积极态度。
三星投资关系(Investor Relations team)负责人Robert Yi表示,2009年三星投资于内存芯片的金额约为4兆韩元(约35亿美元),而2010年投资金额至少将增加至5.5兆韩元。
此外,三星芯片部门负责人Kwon Oh-hyun表示,2010年全球内存产业将成长16! %,同时,Kwon Oh-hyun预期2010年市场将供不应求,内存价格将持续止跌回升。
投资机构Woori Investment分析师Park Young-joo表示,三星有可能达成调升的目标,三星先进的技术和低成本优势将帮助三星增加市占率,此外,三星的芯片部门为带动三星净利提升的主要动力。
三星日前表示计划于2012年增加半导体营收至255亿美元,较2009年的预期营收166亿美元成长超过50%。

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