《工商时报》报导,DRAM 市场需求明显提升,近两年没有太大扩产动作的后段封测厂,再度被DRAM 厂追着要产能,包括力成(6239-TW)、福懋(8131- TW)、华东(8110-TW)等已顺势调涨测试价格,第4 季营收季增率可望上升至5% 至8% 间,
威刚科技(3260)为满足高阶数位单眼相机玩家们对记忆卡容量及速度的需求,正式推出32 GB高容量的CF633X快闪记忆卡。
全球高速晶片设计技术授权公司Rambus宣布三星电子(Samsung Electronics)将开始供应1Gb XDR DRAM记忆体装置。
DRAM合约价主要是看个人电脑(PC)客户为主,也是2009年支撑DRAM价格上扬的推手,之后带动现货价格上扬,原本DRAM合约价涨到12月会开始下滑,但日前仍是呈现持平,也显见2009年PC OEM市场客户的需求强劲。
DRAM价格重回2美元以上,被视为次世代主流的DDR3再传缺货消息,让DRAM厂加速50奈米DDR3制程微缩速度。
展望2010年,受限于NAND Flash价格太高及产能不足等因素,预计要到2011年,也就是等NAND Flash大厂开始量产20奈米制程,固态硬盘才有机会在市场普及。
面对NAND Flash价格持续下跌,内存模块厂劲永11月营收力守持平,达新台币20.78亿元,合并营收为24.01亿元,劲永指出,主要受惠OEM客户下单量仍持续之故,加上近期DRAM价格较为稳定,因此大幅拉高DRAM模块比重至40%以上,整体第4季营收会
对于NAND Flash市场供需,各界看法仍是偏向乐观,认为NAND Flash产品的应用领域相当多元化,包括手机、随身碟、快闪记忆卡等,都将驱动NAND Flash产业持续成长,尤其是智能型手机会是NAND Flash产业最杀手级
为了因应产业变化,台湾企业开通更多外包业务,且将营运焦点由核心业务 DRAM (动态随机存取内存) 芯片,转移到 NAND (快闪型内存) 芯片之上,望能转亏为盈。
茂德(5387)董事长陈民良昨表示,明年上半年将导入尔必达的65奈米XS制程,在中科厂为尔必达代工生产DDR3产品,装机分两阶段,规划月产能3.5万片,约占茂德营收的一半。
日本DRAM大厂尔必达社长坂本幸雄昨指出,受惠Win 7换机潮与经济景气好转,预估明年DRAM将供不应求,产业景气比今年好很多。尔必达代工新伙伴茂德(5387)董事长陈民良也对明年展望乐观。
尔必达社长坂本幸雄昨(8)日表示,由于明年DRAM需求将成长50%,供给却只有增加40%,因此对明年DRAM景气持乐观看法,从今年黑色星期五(Black Friday)销售传出佳绩预估,今年12月应该是价格的低点。
DRAM现货价上周五(124)止跌回升,尤其DDR2 1Gb eTT,本周连 2日急涨,累计涨幅已逾 11%,本波回弹涨幅更逾 15%。
DRAM业这波不景气,茂德(5387)在台湾DRAM厂商中,受伤最惨重,但危机也是转机,技术伙伴曾经历德国、韩国之后,茂德转与日商尔必达合作,从尔必达社长坂本幸雄昨力挺茂德态势来看,茂德可望有浴火重生的机会。