DRAM价格重回2美元以上,被视为次世代主流的DDR3再传缺货消息,让DRAM厂加速50奈米DDR3制程微缩速度。随着DRAM产能大量开出,近两年来没有太大扩产动作的后段封测厂,再度被DRAM厂追着要产能,包括力成(6239)、福懋科(8131)、华东(8110)等已顺势调涨测试价格,第4季营收季增率可望上升至5%至8%间,成为封测业者表现最好的次族群。
全球DRAM产业版块重整已暂告段落,台湾分成以南亚科及华亚科为主的美光派,及以力晶、瑞晶、茂德、华邦等为成员的尔必达派,由于 DRAM市场需求明显提升,DRAM现货价及合约价已回到DRAM厂成本之上,同业间的杀价竞争也已结束,所以DRAM厂现在均加速导入50奈米DDR3 世代产品线,以争取更好的获利及更高的现金流量。
不过,随着50奈米制程DDR3产能陆续开出,现在DRAM测试已出现产能供不应求的现象。业者表示,过去两年DRAM封测厂投资有限,现有旧机台无法完全支援DDR3的速度测试,但采购的新测试机台要等到明年第2季后才会陆续到位开出产能,所以现在DDR3已呈现测试产能短缺问题。
事实上,DRAM厂将主流产品由70奈米1Gb DDR2转换至50奈米2Gb DDR3,制程由70奈米微缩到50奈米后,单片晶圆产出将增加80%,但因容量增加一倍,所以实际的颗粒产出数量没有太大差别,DRAM封装产能仍然足以因应需求。
但测试部分,DDR3测试时间需拉长至800秒至900秒间,相较于DDR2仅需400秒至450秒的测试时间,新产品的测试需求等于大增将近一倍,但包括力成、华东、福懋科等封测厂,现有测试产能近两年的扩充幅度有限,现在当然无法因应需求,单颗平均测试价格也因此由0.1美元涨到 0.15美元。
记忆体封测厂原本预估第4季营收仅会较第3季增加3%至5%,但受惠于测试价格调涨、DRAM厂50奈米DDR3产能加速开出,所以第4 季营收展望均已向上调升,季增率应可达到5%至8%区间,且因测试设备要等到明年第2季才能到位,所以明年第1季的营收还有小幅成长2%至3%的空间。