TLC (Triple-Level Cell)芯片是3-bit-per-cell架构,2009年由东芝(Toshiba)引发战火,三星电子(Samsung Electronics)原本脚步落后,年底宣布以32奈米制程的32Gb芯片产品加入战局,2010年会
群联表示,NAND Flash产业底部近了!客户的单笔下单量数量大增,很多订单已经下到2010年1、2月,是去传统淡季时少见的情况;
DRAM现货价本周微跌,DDR2 1Gb eTT在2.2~2.3美元之间狭幅游走,目前合约报价在2.38美元,两者差距并不大,若下周合约价不大跌,本月下旬合约价有机会持续维持平盘。
英特尔已经宣布自2010年起将USB 3.0列为南桥芯片规格,微软的Windows 7也将USB 3.0列为驱动程序支持规格, USB 3.0将正式进入Wintel体系,取代2.0的序幕即将展开。
北京时间12月18日消息,据国外媒体报道,市场研究公司iSuppli最新研究数据显示,第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲,东芝表现最为抢眼,营收环比增长近50%。
日本DRAM大厂尔必达(Elpida)17日发布新闻稿宣布,已完成和50奈米(nm)制程具同等成本竞争力的65nm XS版(超高压缩版;Extra Shrink version)1Gb DDR3 SDRAM的研发工作。
由于DRAM封测产能严重吃紧,新设备机台要等到明年3月后才陆续到位,封测厂与上游DRAM厂客户进行数回协商后,已陆续达成共识。
SD卡应用从数字相机扩展至数字摄影机,对于快闪记忆卡在高速写入和连拍的技术和标准上要求越来越严格,也使得SD标准从Class 2提升至Class 10等级。
2010年个人计算机(PC)换机潮启动,DRAM产业上、下游都相当期待,DRAM厂认为,2009年DRAM厂都没有扩产,制程微缩速度也参差不齐,2010年一旦换机需求引爆,DRAM价格相当值得期待。
工研院这次积极推动由国人自订标准的USB 3.0薄型记忆卡,也使国内USB 3.0供应链进一步加速成形。
2010年USB 3.0晶片需求量将达到1245万颗,2011年将达到1 亿颗,加上工研院结合国内14家业者,共同为USB 3.0薄型记忆卡技术规格努力,明年商机上看千亿元,带动今天USB 3.0相关的IC设计与封测类股股价劲扬。
受惠于记忆体市场回温拉抬需求、供应端有限,预期记忆体价格将往上提升,且市场需求将持续回温至2010年,同时指出,现在不失为一个布局DRAM封测股力成(6239-TW)的好时机,并给予“中立”评等,调升目标价为119元。
尔必达将于今年内开始量产40mn制程的DRAM产品,之后则计划持续进行技术研发,将产品推进至30nm世代。
日本电脑晶片大厂 Elpida Memory Inc. (6665-JP;尔必达) 预期晶片将出现短缺潮,因而计画在明年 4月起的财年中,增加其资本支出。
业者指出,最快明年第一季可看到相关产品问市。工研院预估,2015年薄型记忆卡将为台厂创造1,000亿元产值。