由于DRAM封测产能严重吃紧,新设备机台要等到明年3月后才陆续到位,封测厂与上游DRAM厂客户进行数回协商后,已陆续达成共识。明年1月起,封测厂将调涨DRAM封测代工价,涨幅约在10%至20%不等,包括力成(6239)、福懋科(8131)、华东(8110)、泰林(5466)等均将受惠。且正因为受惠于涨价效应,DRAM封测厂明年首季营收有机会高于今年第4季,毛利率也可望持续拉升。
在新加坡封测厂联测科技总经理徐英琳,上周抛出将调涨DRAM封测代工价格15%至20%幅度后,果然让国内记忆体封测厂及DRAM厂间的代工合约价洽谈,由台面下的秘密协商,转变成为台面上的公开讨论。据了解,力成及泰林虽仍未松口调涨,但态度已转向“乐观其成”,而福懋科及华东等则已获DRAM厂同意调涨价格。
据设备业者透露,封测厂所以能够说服DRAM厂调升封测代工合约价,最大原因就在于封测产能严重吃紧,尤其是DRAM测试机台不足,因采用50奈米新制程DDR3现在所需的测试时间,是采用70奈米世代制程DDR2的一倍,但包括爱德万(Advantest)或惠瑞捷(Verigy)的DRAM高速测试机,最快要等到明年3月后才能顺利交货,量产时间可能会落在明年5月或6月。
据了解,这回封测厂与DRAM厂间的代工价谈判,封装部份因市场产能仍然充裕,因此仅反应了黄金及铜等金属价格上涨因素,封装代工价调涨幅度约在5%至10%,至于测试部份因产能严重不足,每小时平均测试价(hourly rate)基本上均调涨10%左右幅度。整体来看,明年1月生效的新封测代工价,平均较第4季上涨了10%至20%。