2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平,高容量32Gb和64Gb晶片有小幅调涨
彭博社转述日经新闻26日早报内容指出,全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)2009年度第三季(2009年10-12月)显示本业获利状况的合并营益可望自前一年同期(2008年10-12月)的亏损1,588亿日圆转为盈
市场也传出大陆中芯半导体在SDRAM生产上也自本月起开始停产,SDRAM供应量进一步缩小,产业供需状况更加健康,而少了大厂量大低价抢市的风险,国内的利基型记忆体厂商在价格上也会有更持稳的表现。
不仅DRAM受到淡季影响,在Q1有价下跌压力,NAND也出现观望气氛。1月下旬NAND Flash合约价维持平盘,主要是因为目前下游系统业者与记忆卡客户在中国农历年前的库存回补需求仍然持稳,符合市场预期,因此仅部份供应商小幅调整某些颗粒的合约价。
大陆晶圆代工龙头中芯退出SDRAM市场,引发SDRAM价格狂飙,激励今天SDRAM概念股的华邦电(2344)等劲扬。
今年DRAM价格可望先蹲后跳,本土法人维持DRAM长线偏多的看法,但本季DRAM现货价有回档压力,建议可于2~4月淡季时逢低布局。
上周五DDR2 DRAM现货价触底强弹,单日涨幅逾3%,守住2美元关卡;DDR3则仍稳于3美元以上。上周因现货价回档以及台股重挫,南科(2408)、华亚科(3474)股价明显回档亦逾一成,力晶(5346)亦拉回整理,并未反映上季单季营运转盈的利多,随著DR
2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术,但新制程关键恐未必在技术上,而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步,近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货,但目前交期已递延至4月,南亚科和华亚科之前亦传出机台交货
上海晶圆代工厂中芯国际(SMIC)自新任总执行长王宁国掌权后,包括中芯本身、武汉厂新芯、成都厂成芯等可掌控产能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生产业务。
尽管DRAM厂去年第4季相继转亏为盈,然随着DRAM现货价格连续2天回档,且DRAM股涨多就是利空的打压之下,类股股价呈现利多出尽,连续2个交易日呈现下跌,法说行情似已提前结束。
虽然三星、海力士、美光等3大厂仍未释出封测订单委外代工,但占全球DRAM产能逾4成的台湾DRAM厂及日本尔必达,封测订单却是源源不绝释出,所以台湾DRAM业者如力成、华东、福懋科、泰林等,今年来产能利用率维持95%以上满载水位,但仍无法有效满足上游DRAM
1 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC合约均价持平表现,另一市场主流的32Gb MLC合约均价则小涨0.84%。
根据法院公文显示,恩益禧(NEC Electronics Corp. JP-6701)、瑞萨科技(Renesas Technology JP-RENEZ)与其他4家晶片业者同意支付总额2500万美元民事赔偿和解金。
全球DRAM厂商从2006年投入「扩产竞赛」,造成DRAM严重供过于求,加上2007年1月推出的Vista销售不如预期,使得DRAM报价最多仅维持在约2美元的生产成本附近,也让DRAM厂开始进入惨澹经营,2008年金融海啸更让DRAM报价崩盘
1月22日消息,据韩国媒体报道,全球最大内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资,并建立一条新生产线。