南科、华亚科、福懋科、华邦电、华东可望受惠
近期电子大厂陆续召开法说会,普遍表示对今年展望乐观,台股压缩整理后,可望上演一波「法说会行情」。全球DRAM厂商从2006年投入「扩产竞赛」,造成DRAM严重供过于求,加上2007年1月推出的Vista销售不如预期,使得DRAM报价最多仅维持在约2美元的生产成本附近,也让DRAM厂开始进入惨澹经营,2008年金融海啸更让DRAM报价崩盘,DDR2 1Gb eTT现货价从2008年6月的2.16美元,跌到2008年12月的0.59美元,由于跌破约1.3美元的现金成本, DRAM厂等于卖一颗赔一颗,引爆了力晶(5346)、茂德(5387)的财务危机,甚至连政府都出面成立TIMC挽救僵局。
DRAM供需调整完毕 活力再现
市况不佳也让去年除了韩国三星之外的全球DRAM厂商都削减资本支出,并停止扩厂计画,加上Qimonda退出市场,使DRAM供给快速下滑,虽然DRAM报价从去年Q1开始反弹,但上半年始终低于约1.5美元的变动成本,下半年随着Server及NB开始导入DDR3,造成DDR3缺货,带动报价起涨,DRAM厂将DDR2产能转为生产DDR3,随着进入欧美PC旺季,加上中国需求,反而让DDR2供不应求,因此去年11月DDR2 1Gb eTT现货价涨到最高2.66美元,一度超过DDR3的报价,带动台湾多家DRAM厂,去年Q4获利顺利转亏为盈。
拓墣预估,使用Win 7的PC,平均DRAM搭载量将从去年的2.4GB上升到今年的3GB,而今年全球PC出货可望达到3.18亿台,带动DRAM产业需求回温。加上50nm以下制程需采用湿制程曝光机及铜制程机台,每台单价超过15亿元,进入门槛高,有助限制今年全球DRAM产能开出。此外,今年Q1受惠中国农历春节前的库存回补需求,相关厂商业绩可望淡季不淡,虽然近期股价涨多拉回,但整理过后,体质好的个股仍值得留意。
台塑集团DRAM厂制程技术领先
台塑集团DRAM厂南科(2408),自结去年Q4税后EPS 0.09元,转亏为盈,今年Q1营收季增率挑战持平,目前拥有1座12吋厂和2座8吋厂,去年下半年12吋厂进行50nm制程转换,产能利用率仅约6成,但目前50nm已达到12吋厂产能5成,在台湾厂中进度最快,今年下半年转换完成后,可望全线运转,8吋厂则1座租给华亚科,另1座进行代工及生产利基型DRAM,今年位元产出成长年增率挑战7成。
由于50nm生产的颗粒较70nm上升1倍,但成本仅有70nm的一半,南科可望享有产出增加以及成本下降的双重优势,目前股本340亿,在DRAM厂中最低,预估今年EPS挑战5元,业绩具爆发性。
华亚科(3474)自结去年Q4税后EPS 0.13元,转亏为盈,目前12吋厂月产能为13万片,由于进行50nm制程转换,到今年Q3前产能被限制在10万片,到今年底才会恢复全产状态,而50nm制程预计今年3月开始产出,到下半年比重才会超过5成,加上制造利润需与客户共享,预估今年EPS 2.5元,成长力道不如南科,但股价净值比较低,具比价空间。
DRAM封测厂福懋科(8131),有富爸爸加持,去年Q3获利转亏为盈,去年Q4营收季增率1成,预估去年税后EPS 0.2元,目前产能接近满载,并且市场上DRAM封测产能吃紧,今年Q1可望调涨代工价1~2成,业绩持续增温,受惠南科及华亚科50nm制程转换效应,今年封测数量可望成长超过5成,预估今年EPS 2.5元,年增率高达11.5倍,近期涨多回档,在46元附近可望具支撑。
华新集团记忆体厂业绩具转机性
利基型记忆体的华邦电(2344)去年11月11日与尔必达签订DRAM合作备忘录,为其代工制造DRAM以及绘图记忆体,报价上涨及绘图记忆体大缺货,带动去年Q4获利挑战转亏为盈,尔必达也宣布今年将移转40nm DDR3制程技术给华邦电,预估今年EPS 0.5元,转亏为盈,也具有转机性。
华邦电转投资持股12.3%的记忆体封测厂华东(8110),目前产能逼近满载,加上报价上涨题材,今年Q1业绩也可望淡季不淡;华东持股24%的承启(2425 )由板卡转型DRAM模组厂,也受惠DRAM报价上涨,去年前3季获利逐季成长,去年Q4营收季增率高达67%,近期股价大涨一波后进入整理,但股性较投机,短线不建议介入。