据研究报告指出,预期今(2010)年全球半导体销售额可望年增19.9%至2,760亿美元,远优于09年的年减9.6%。 Gartner预期,2014年全球半导体销售额将进一步攀升至3,040亿美元。

随着全球景气逐渐回升,半导体厂商投资渐恢复,刺激DARM、NAND Flash需求增温,更有业者喊出2010年第1季将成为「有史以来最好的第1季」。

在智能型手机(Smartphone)及PC等应用产品带动下,日本市调机构预估至2014年全球NAND Flash市场需求将增为2009年的8.8倍,达541.4亿颗(以8GB计)。

中国大陆农历年内存模块销售状况强强滚,全球内存模块龙头金士顿(Kingston)与创见(2451)实际营运优于预期,都认为长假过后补货力道仍强。

全球最大内存厂三星(Samsung;005930-KR)今(24)日宣布,领先业界开始量产40奈米级制程技术完成的低功耗4Gb DDR3产品。这项高密度内存将为数据中心(data center)、服务器系统与高阶笔记型计算机节省相当显著的功率。

据调查显示,2月下旬动态随机存取内存(DRAM)合约价与上旬呈现持平无变动, PC代工厂大陆缺工缺料问题持续发酵,第1季NB出货量恐下修,影响DRAM库存去化速度,3月合约价恐有跌价压力。

据报道,欧洲第二大半导体制造商德国英飞凌周一宣布,该公司及其北美分公司已于2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)提起诉讼,指控日本芯片制造商尔必达侵犯了该公司4项与DRAM芯片相关的专利。

在半导体电路技术国际会议上,MRAM、PCM以及FeRAM等非易失性内存的发布齐聚一堂。今年技术发布的看点是(1)意图取代NAND闪存的电阻变化型内存首次在ISSCC上亮相,(2)此前被称为新型内存的MRAM、PCM和FeRAM的开发正稳步前进。

英飞凌(Infineon)向美国ITC控告尔必达 (Elpida)及金士顿、创见、威刚等多家厂商涉侵犯专利,遭控侵权的国内记忆体模组厂创见及威刚对此表示,不予置评。

从今(2010)年开始,记忆元件的供应可能颇为紧俏,主要有下列三个原因:(1) 记忆体需求回升;(2) 去年度相关投资不足;(3) 蚀刻设备供应商ASML交货日期延长。

记忆卡龙头厂商SanDisk Corporation 22日发布新闻稿宣布,该公司容量最高的记忆卡「64GB Ultra SDXC」已开始出货,售价为349.99美元。

据日本经济新闻报导指出,日、美、南韩半导体大厂将自2010年春季起,投产次世代制程的NAND Flash。随着市况明显回温,市占排名在后段班的业者亦将陆续跟进。

记忆卡已开始迈入世代交替阶段。日厂Panasonic将独步全球推出记忆容量达2TB的次世代SD记忆卡SDXC(Secure Digital eXtended Capacity)记忆卡。

农历年后首个交易日,DRAM现货价中午以平高盘作收。据集邦科技报价,DDR3 1Gb现货价持平于2.88美元,DDR2 1Gb 800MHz微涨0.16%,至2.38美元。

根据iSuppli发布的报告,Apple的iPhone在市场上获致钜大成功,而且这类产品配备大容量NAND记忆体,将为这类元件创造庞大需求,也让供应较为紧俏。该公司估计今年iPhone配备之NAND记忆体平均达35.2Gbytes

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