日、美、韩半导体大厂陆续投产次世代NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-23 09:52
据日本经济新闻报导指出,日、美、南韩半导体大厂将自2010年春季起,投产次世代制程的NAND Flash。随着市况明显回温,市占排名在后段班的业者亦将陆续跟进。
目前市面上技术最先进的产品是30奈米级制程技术产品,日、美、南韩各大半导体厂计划自2010年春季起生产20奈米制程技术的NAND Flash。
市调机构iSuppli的统计数据显示,2009年7~9月全球市占前2大的业者三星电子(Samsung Electronics)与东芝(Toshiba),总计取得全球市场74%的市占率。 2家业者希望藉由率先投产先进技术产品,以便维持在市场的领先地位。
韩厂三星电子将自2010年4~6月开始投产27奈米制程的NAND Flash。该公司在2009年3月即已领先同业投产32奈米制程NAND Flash。据悉,2010年内三星NAND Flash产量的8成产能,将采32奈米制程与27奈米制程技术生产。
日厂东芝亦打算于2010年秋季在三重县的四日市厂投产次世代NAND Flash;该公司并计划投资8,000亿日圆(约87.3亿美元)在邻近处新建厂房,2011年春季后大举扩产。
在该市场市占排名后段班的业者亦拟跟进投产次世代NAND Flash,韩厂海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)等业者亦纷计划在4~6月开始生产20奈米级制程产品,业者希望藉由提前导入次世代产品,重建市场版图。
由于NAND Flash技术已逐渐面临制程微缩极限,三星电子、东芝的技术优势将日显薄弱,而市场竞争亦将更为剧烈。

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