全球最大内存厂三星(Samsung;005930-KR)今(24)日宣布,领先业界开始量产40奈米级制程技术完成的低功耗4Gb DDR3产品。这项高密度内存将为数据中心(data center)、服务器系统与高阶笔记型计算机节省相当显著的功率。
三星去(2009)年7月即率先业界推出40奈米级技术DDR3,过了7个多月后,再度宣布推出超低功耗的节能内存(Green Memory),三星内存营销部执行副总裁Dong-Soo Jun指出,这个4Gb DDR3产品密度是前一代的2倍,在16GB模块中使用4GB模块可省下35%的功耗。
三星表示,其40奈米级技术节能DDR3是为了服务器产品而进行最佳化,以提升其能源效率的等级,得以遵循、甚至超越新的能源之星(Energy Star)功耗规定。而4Gb DDR3的量产,将可提高服务器使用内存的总量至每一模块32GB,是基于2Gb组件的模块密度最高值的2倍。
随着4Gb DDR3开始量产,三星计划将90%以上的DDR DRAM改由40奈米级制程技术生产,以提供三星客户当今最低成本的DRAM组件,同时更巩固三星的市场领先地位。
如今,服务器在一颗CPU状态下,可装设平均6个RDIMM插槽,可容纳高达96GB DRAM,功耗会因为组件特色而有所不同。一个基于60奈米级技术的1Gb DDR2模块会消耗210W,而基于40奈米级技术的2Gb DDR3模块可节省约75%功耗,只消耗55W。
然而,三星强调,全新的40奈米级技术4Gb DDR3模块则可省下高达83%功耗,仅仅消耗36W。随着对于数据中心能源成本的日趋重视,这些内存省下的功率,等同于减少服务器整体系统10%的功耗。
三星并指出,透过应用三星的40奈米技术4Gb DDR3模块到现存的服务器系统,DRAM密度可增加至少2倍,系统使用寿命可被显著延长,并进而减少新系统的投资。
此外,此4Gb DDR3可将SoDIMM的密度提升至8GB,促使一个系统层级密度在2个插槽状态下可达到16GB,在4个插槽状态下可达到32GB,得以满足对具备先进显示功能之高效能笔记型计算机的市场需求。
三星的4Gb DDR3可同时支持1.5V与1.35V规格,现在已供货的内存模块包含16GB与32GB RDIMM,以及具备每秒1.6Gb效能的8GB SoDIMM内存模块。