微软(Microsoft)推出Vista失利后,导致DRAM产业产能过剩问题严重,2008~2009年期间,还使得德系存储器大厂奇梦达(Qimonda)退出市场,台系DRAM厂面临请求政府纾困的窘境,直到2009年下半之后,市场才逐渐回复供需平衡的状态。
今年以来,价格走势相对疲软的Nand Flash近来需求也开始转强,Nand Flash控制IC大厂群联(8299)3月营收将可望创下新高,直接挑战30亿元大关,月增幅度超过40%,展望第二季,群联表示,整体需求热度延续,市况展望乐观。
DRAM供给吃紧的状况持续,上周DRAM现货价回档有限,DDR2、DDR3仍守住3美元,将支撑4月营收维系于高档。
NOR FLASH缺货,价格可望持续向上,旺宏(2337)、华邦电(2344)受惠,订单看到第三季;土洋法人一路加码旺宏,华邦电则是在大摩喊进「加码」,股价大涨。
DRAM最大的应用市场向来是PC,而现在有一个新兴应用市场开始涌现对DRAM的大量需求;根据市场研究机构iSuppli的预测,智慧型手机对DRAM的需求量正以超过10倍的速度成长,预计将由09年的平均每支123Mbytes,到2014年成长至1.3Gbyt
NOR Flash抢攻中国白牌手机商机,台系厂商旺宏、华邦电NOR Flash订单走高,为求扩大产能,两家公司今年将对外筹资,增资规模上看18亿股,募资可望突破300亿元以上。业者指出,NOR Flash目前出现供不应求的情况,订单一路看到第3季。
大和证券表示,尔必达本月委外产量每月约10万片,年底将扩大至14万片,相当于尔必达广岛厂的规模。大和证券并强调,台湾主导的TIMC进展迟缓,尔必达只好藉由与茂德及华邦电的策略联盟,企图形成“台日联盟”,以对抗韩国。
全球第二大电脑记忆体晶片制造商海力士半导体(Hynix SemiconductorKR-000660)在晶片价格止跌回涨带动下,今天升抵21个多月来高点。
根据统计,2009年快闪记忆市场规模约208亿美元,较前一年成长2%,其中NAND Flash市场规模占161亿美元,而NOR Flash市场产值则占47.2亿美元,较前一年衰退27.9%。
新帝2009年已登上全球前3大NAND Flash供货商之列,市占率高达13.6%,与合作伙伴东芝(Toshiba)合计,全球市占率可与龙头厂三星电子(Samsung Electronics)38.1%市占率一较高下,而全球2009年闪存市场规模约208亿
华邦既有NOR Flash价格和毛利率不断攀升,已挤压尔必达GDDR代工产能规画,缩减幅度达5成,目前包括NOR Flash、DRAM和SDRAM产能互相排挤状况,已成为内存厂最头痛问题。
华亚科技股份有限公司总经理高启全(Charles Kau)报导,由产能扩张不足所引发的动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory, 简称:DRAM)晶片供应吃紧状况仍将延续,这将对DRAM晶片价格带来支撑。
DRAM现货价本周一创新高后持续小幅拉回,周四DDR2略跌破3美元关卡,DDR3仍守住3美元,价格重新领先DDR2。
据报导,全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)计画于2012年开始量产20奈米(nm)前半等级(25nm以下)的Flash Memory,东芝并计画于今(2010)年内投下150亿日圆在旗下四日市工厂第4厂房内
受惠3月DRAM价格强劲走扬,力晶(5346-TW)营运表现更亮眼,3月营收来到新台币68.46亿元,月增24%,年增572%。 DRAM荣景再现,带动市场买盘青睐,力晶股价3月以来大涨39%。