东芝将于2012年量产25nm以下等级NAND Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-02 10:57
据报导,全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)计画于2012年开始量产20奈米(nm)前半等级(25nm以下)的Flash Memory,东芝并计画于今(2010)年内投下150亿日圆在旗下四日市工厂第4厂房内新设试作产线。据报导,除东芝之外,Intel、三星电子以及台湾台积电(2330)也将于今年内设立25nm以下等级的试作产线。
报导指出,东芝所计画量产的25nm以下等级产品为广泛使用于手机、PC、数位相机等数位机器的NAND型Flash,东芝并计画藉由即将于今年7月动工兴建的四日市工厂第5厂房量产该25nm以下等级产品。据报导,现行NAND Flash主流产品为45nm和32nm,而东芝、三星电子等半导体厂则计画于今年内开始量产20nm后半(25nm以上)等级产品。

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