根据统计,2009年快闪记忆市场规模约208亿美元,较前一年成长2%,其中NAND Flash市场规模占161亿美元,而NOR Flash市场产值则占47.2亿美元,较前一年衰退27.9%。
根据统计,2009年快闪存储器市场龙头为三星电子(Samsung Electronics),市占率为38.1%,其次是持续追赶的二哥东芝(Toshiba),市占率为27.9%,意外的是2009年才开始供应NAND Flash芯片的新帝(SanDisk),一举挤入全球前3大NAND Flash供应商之列,市占率达13.6%,其次美光(Micon)、海力士(Hynix)和英特尔(Intel)的市占率分别为7%、5.8%和5.3%。
2009年各家NAND Flash大厂的制程技术都转入32奈米和25奈米制程,成本结构还可进一步下降。以技术演进而言,美光和英特尔阵营2010年率先量产25奈米制程,再度领先,也带给竞争对手很大压力,在此之后,三星、东芝的20奈米世代制程也将陆续问世。
在NAND Flash产品应用上,2010年手机应用仍是最大宗,但应用主流趋势将从过去外接快闪记忆卡,转入内嵌式存储器,尤其是智能型手机(Smartphone)目前使用内嵌式存储器的比重越来越大,加上固态硬碟(SSD)、MP3播放器、随身碟等应用,使得2010年NAND Flash成长性持续。