智能型手机各种功能对于内存需求庞大,各种内存解决方案样样都来,日前各家NAND Flash大厂推出一系列内嵌式内存解决方案后,快闪记忆卡大厂新帝也不甘寂寞,推出容量高达32GB的microSDHC产品,可媲美1台固态硬盘 (SSD)的储存空间。

细看硬盘,1.8吋以下微型硬盘,则因技术成熟度与良率远不如2.5吋硬盘,加上固态硬盘(SSD)急起直追,目前仅留东芝(Toshiba)独撑市场,1.8吋硬盘出货量逐年减少,未来甚至可能全面退出市场。

智能型手机的内存储存技术五花八门,三星电子(Samsung Electronics)阵营扶植的OneNAND内存技术再度有新突破,采用30奈米制程生产的8Gb容量OneNAND内存已送样给客户,并将于5月底开始量产!

三星电子(Samsung Electronics)推出的OneNAND存储器技术,是1种混合式存储器的概念,其基础概念是将NAND Flash芯片、SRAM芯片和逻辑芯片整合成1颗单芯片。

Neobit OTP是嵌入式非挥发性内存技术(Neobit Embedded One-Time-Programming Technology),用来取代目前ROM code、EPROM/Flash的应用,与ROM不同之处在于,Neobit的编程灵活性可使得

DRAM业于2010年底确定摆脱不景气,营收大幅成长,据预测,2010年DRAM产业将平稳发展,且DDR3将跃而成为主流。

三星电子高管表示,内存芯片供应短缺将持续至2010年底,因竞争对手转至50纳米技术的进程似乎并非易事,整体芯片供应量将不会增加很多。

随着DDR2记忆体的成长速度趋缓,下一代的DDR3记忆体成长速度则加快。这两种记忆体的价格越来越接近,因而抬高DDR3记忆体的采用程度。此外,晶片制造商使其处理器得以支援DDR3记忆体控制器,同时逐渐淘汰较旧型的记忆体种类。

业界对DRAM、NAND Flash等芯片和平面屏幕这2个区块的需求成长都表乐观,但就几个现象看来,业界却也担心是否会出现生产过剩、甚至是泡沫的情况。

广颖电通日前也加入高速记忆卡市场,推出支持Full HD高阶数字摄录像的SDHC记忆卡,支持Class 6标准规格,以及加入支持多媒体数据内容保护CPRM的技术和自动错误改正(ECC)等功能。

全球相变化内存分为3大阵营,包括恒忆/英特尔(Intel)、三星、旺宏/IBM,三星日前推出主攻智能型手机MCP应用的PRAM,以及恒忆的PCM产品等,虽然PRAM、PCM等产品的名称相异,但属于相变化内存技术。

NAND快闪内存制造商Index Diversified公司运行董事罗伊(C.H. Low)指出,快闪内存供应短缺主因是2008年底爆发全球金融海啸,使三星和东芝等快闪内存大厂过去两年来未扩充产能。

B. Riley & Co.以本季营收预估优于预期为由,将嵌入式固态硬碟(SSD)控制晶片供应商慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.)的投资评等由「观望」调高至「买进」。

据报导,使用Flash记忆体取代传统硬碟已非新技术,然矽谷新创公司SandForce研发出1种可改良Flash空间使用率及使用寿命的晶片,可望刺激Flash记忆体应用。该技术即将接受IBM专业测试,且通过机会相当大。

近期记忆体模组厂出现一窝蜂抢进行动硬碟市场情况,继创见开疆辟土立下成功典范后,包括威刚、劲永、胜创、宇瞻纷陆续宣布进军行动硬碟,全力让产品线更加多元化。

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