智能型手机的内存储存技术五花八门,三星电子(Samsung Electronics)阵营扶植的OneNAND内存技术再度有新突破,采用30奈米制程生产的8Gb容量OneNAND内存已送样给客户,并将于5月底开始量产,OneNAND技术是撷取NAND Flash高容量优点和NOR Flash读取速度快的特性成的混合型内存,也象征三星未来在手机内嵌式内存解决方案上,将采取多元化策略。
三星推广混合式内存的概念已行之有年,OneNAND是这几年三星极力扶植的技术之一,三星在初期曾以70奈米制程打造1Gb产品,2006年底开始用60奈米制程量产2Gb产品,之后再以50奈米生产的4Gb产品也陆续问世,这次的8Gb容量新产品则是采用最新进的30奈米制程生产,符合现在手持式产品对于内建内存的需求。
在NAND Flash和NOR Flash技术已相当成熟,且各有各的优缺点下,NAND Flash大厂开始思考像是OneNAND、ORNAND、Flex-OneNAND这种混合型的内存,试图撷取各种内存的优点,并简化手机客户的导入程序,但缺点是成本仍较高,要能说服客户采用。
OneNAND概念是将NAND Flash、SRAM和逻辑芯片整合成1颗单芯片,同时具有NAND Flash高容量优点和NOR Flash读取速度快的特性,在NOR的控制接口下,在系统内整合1颗SRAM芯片来作为高速缓冲区,在未来在终端应用上,OneNAND技术与NOR Flash芯片竞争的成分较高,甚至是取而代之。
三星提供使用OneNAND和DRAM制作的多晶片封装(Multi-Chip Packaging;MCP)产品给智慧型手机制造厂商,且预计下半年将推出封装2片OneNAND晶片的MCP产品。
三星电子闪存部门副董事长Sejin Kim表示,在推出8Gb高容量的OneNAND芯片后,让三星在行动内存解决方案上的阵容更佳多元化,同时也代表三星的30奈米世代NAND Flash技术正式导入智能型手机应用上,此款8Gb OneNAND晶片的推出将可以满足智慧型手机对更高记忆体密度的需求。 ”
Sejin Kim强调,8Gb OneNAND拥有SLC设计的可靠性,以及经过市场证明的OneNAND效能,可以每秒70 MB的速度读取资料,是过去传统NAND读取速度(每秒17MB) 的4倍以上。这些特色与低电压设计使其成为一个特别具吸引力的解决方案,可处理来自使用触控萤幕与其他高解析度智慧型手机功能时的大量程式资料。此外,透过应用先进的30奈米级制程技术,相较于以往40奈米级的设计,三星得已提高40%的生产力。
三星相关人员表示,最近需高解析度影像支援的应用程式数量逐渐增加,智慧型手机用大容量内建记忆体的需求也大幅增加,8Gb级产品较原定计划提早1年推出。
随着智能型手机热潮兴起,NAND Flash应用从外接式记忆卡走向内嵌式内存,未来手机会是内嵌式内存的最大应用领域之一。根据统计,2010年嵌入式NAND Flash内存在手机市场的需求将达到11亿颗(约当1GB容量计算),到2011年将成长2倍以上,达到25亿颗 (约当1GB容量计算)。