据报导,日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)已研发出一款全球最小尺寸的可携式产品用DRAM,该款DRAM产品的晶片面积可较现行产品缩减约50%至50平方毫米(mm2)以下,和全球DRAM龙头厂三星电子的低电源电压产品相比,其尺寸小了约15-20%。
利基型内存设计公司钰创2010年也加入募资抢钱大作战,日前申请的现金增资和无担保转换公司债于13日正式获得证期局的核准,市场密切观察定价日期。
三星电子(Samsung Electronics)与海外半导体业者之间逐渐拉近的差距在第1季时再度拉大,三星和海力士(Hynix)内部正积极协调,将各在2010年内扩大投资。
PC厂和DRAM大厂5月合约价展开史上最严峻的拔河大赛,业者透露,主要是三星电子(Samsung Electronics)欲调涨DDR3价格,但遭到系统大厂的反对,双方都不肯让步下,合约价近乎难产。
根据isuppli 高级分析师 Michael Yang 的报告指出,首季NAND Flash品牌厂商整体季营收成为43亿5100万美元。
2010年为了充实营运资金,众多存储器大厂都展开募资计画,包括南亚科、华亚科因为要转换制程之故,抢钱计画最积极,而力晶和茂德则是规划减资在募资,进行营运浴火重生;再者象是利基型存储器公司钰创也开始募资大作战。
华亚科技(3474)总经理高启全表示,华亚一年多来,已完成三阶段集资,手握600亿元银弹,预定7月全数导入与美光合作的50奈米堆栈式(Stack)制程,第三季产量大增、成本锐减,有信心在一年内「重返荣耀」,成为台湾最有竞争力的DRAM厂。
DRAM市场行情(价格)料将不会呈现大幅度下滑的局面。(土反)本幸雄指出,今年度DRAM价格即便下滑也将落在2美元左右水准,最乐观的看法是DRAM价格将稳定的维持于目前的水准。
低成本优势的X3(3-bit-per-cell)架构TLC(Triple-Level Cell)芯片开始受到快闪记忆卡和随身碟等产品的采用,间接影响MLC(Multi-Level Cell)芯片需求,加上现在是电子产业的传统淡季,5月上旬NAND Flas
动态随机存取记忆体(DRAM)厂瑞晶电子(4932)自结第1季税后净利达新台币40.81亿元,超越母公司力晶的35.02亿元,居国内DRAM厂获利王,每股纯益达1.39元。
据报道,2010年NOR型快闪记忆体(NOR Flash)销售额可望较2009年的46亿美元上升4.2%至48亿美元,扭转09年的衰退景况并再度恢复成长趋势。
记忆体市场中,DRAM正热,但NAND快闪记忆体的情况却大不同。据观察,全球DRAM销售力道强劲、2010年前三个月的销售额就已经超越2009年上半年水准,但NAND价格却因为客户仍心存观望而呈现下滑。
日本记忆芯片龙头东芝(Toshiba)积极投资半导体、核能发电及健康医疗业务,据彭博(Bloomberg)报导,该公司目标于2012会计年度(2012年4月~2013年3月)结束时,总计将挹资1.3兆日圆(约140亿美元),营业收入净利(Net Sales
全球DRAM产业营收在2010年第1季创下多项佳绩,单季营收为94.9亿美元,较2009年第4季的86.6亿美元增加9.58%,而与2009年第1季的33.7亿美元相比,成长更是有181.6%以上。
短期内不会对NOR Flash市场的供需造成影响,因为飞索已将产品重心放在嵌入式和项目式无线应用业务上,且飞索与日本厂做切割后,没有产能做依靠,不再有过去的霸气,NOR Flash市场供给吃紧的问题,确定第3季底前都不会松动。