低成本优势的X3(3-bit-per-cell)架构TLC(Triple-Level Cell)芯片开始受到快闪记忆卡和随身碟等产品的采用,间接影响MLC(Multi-Level Cell)芯片需求,加上现在是电子产业的传统淡季,5月上旬NAND Flash合约价持续小幅下修,其中以16Gb芯片跌幅最大,估计超过3%;不过记忆卡厂也表示,虽然5月需求清淡,但NAND Flash大厂大幅降价的意愿不高,是最吊诡之处,应该是力守毛利率策略持续或是将货源调配给消费性电子大厂所致。
2009年TLC芯片开始问世时,市场即预期NAND Flash价格会受到干扰,TLC芯片具有低成本的优势,但读写次数却仍有待加强,目前仅能使用在低阶的快闪记忆卡和随身碟上,像是固态硬盘(SSD)和高阶产品等,都仍是采用MLC芯片。
不过,近期也受到记忆卡和随身碟的部分需求转移至TLC芯片上,导致对于MLC芯片需求减少,加上第2季是消费性电子产品的传统淡季,因此5月下旬合约价格持续下跌,16Gb芯片跌幅超过3%为最高,其次是8Gb芯片,而高容量32Gb和64Gb芯片则因为供给不多,因此仅是小幅下跌。
记忆卡厂表示,从2010年以来NAND Flash产品需求都是一般,没有特别好的迹象出现,但很吊诡的是,NAND Flash大厂愿意降价的幅度却不高,韩系和日系业者皆然,推测可能是为了贯彻力守毛利率的策略,或是消费性电子大厂如苹果(Apple)等开始备货之故。
也有业者表示,NAND Flash大厂也同时调整第2季的产出量,以降低传统淡季带来的价格冲击。
以TLC芯片来看,进度最快的内存大厂新帝(SanDisk)大量导入快闪记忆卡和随身碟等,动作相当积极,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)的TLC芯片也陆续出货,但速度没有像新帝这么快。
控制芯片业者表示,TLC控制芯片的支持度在下半年会更加成熟,预计届时会有更多的记忆卡厂愿意采用TLC芯片,而MLC芯片则会用在SSD、高速记忆卡、高速随身碟和内嵌式内存应用中,和TLC应用领域会有所区分。
展望第3季NAND Flash产业前景,上、下游业者都抱持乐观看法,认为第3季是电子产业的传统旺季,价格可推升价格止跌回升,但须谨防年底和2011年大量新产能和制程微缩产能的增加。
内存模块厂对于第3季的NAND Flash市场更是期待,因为上半年NAND Flash价格几乎都没有表现,市场买气也很清淡,而DRAM芯片虽然涨价,但也饱受缺货之苦,因此模块厂期待下半年能在NAND Flash市场上有所收获。