三星电子(Samsung Electronics)与海外半导体业者之间逐渐拉近的差距在第1季时再度拉大,三星和海力士(Hynix)内部正积极协调,将各在2010年内扩大投资。三星预估将追加投资3兆~4兆韩元,而海力士将投资3,000亿~4,000亿韩元,至2011年上半,差距可望再拉大。
据统计,三星第1季以DRAM产品写下销售30亿美元的纪录,预估市占率为32.3%,相较前季市占率31.7%,上升0.6%,而闪存(Flash Memory)市占率较前季上升0.9%,为39.2%。
海力士虽然销售额增加6.8%,DRAM市占率却从原本的21.6%下跌0.1个百分点,仅写下21.5%的纪录。内存则较前季减少2.0个百分点,占7.9%。
2009年第4季尔必达(Elpida)DRAM领域市占率以19.4%仅追海力士之后,却因销售减少使市占率于2010年第1季减少2.0个百分点,以17.4%大幅落后海力士。
相反的,东芝(Toshiba)内存市占率较前季上升2.0个百分点,以34.4%的纪录缩小与三星之间的差距。美光(Micron)第1季DRAM销售较前季增加24%,市占率也从14.1%遽增1.9个百分点。内存产品比起前季降低7%,只占9.1%,然5月已完成收购恒忆(Numonyx),预估市占将会上升。
三星2010年营运方针为将DRAM出货位成长率(Bit growth)拉抬至较目前市场还高的60%以上,展现出下半年将更彻底拉大与后起企业之间差距的决心。此外,三星与海力士正在协议中的追加投资案效果,将会在2011年上半发酵。相关业者表示,尔必达在DRAM微细工程化方面与南韩企业约有6个月以上差异,但美光在内存产品的领域中,市占率可能会越来越高。