根据报导,欧盟将针对10家记忆体厂商包括三星、英飞凌、海力士、美光、尔必达、NEC、日立、东芝、三菱以及南科(2408)将处以罚款,总罚金将高达3亿欧元,预计19日正式公布。对此,南科表示,如果罚款不合理的话,将会采取上诉的动作。

估计台湾、南韩和日本等8家面板厂在这起反托拉斯案件中,认罪协商的罚金高达8.6亿美元,奇美电前总经理何昭阳更将赴美服刑14个月,震惊整个科技产业。

龙头厂三星电子(Samsung Electronics)又宣布历年来最高金额的26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出计画,让DRAM市场信心度再度崩跌,然18日再度传出多家国际和台系DRAM业者针对涉嫌操控价格一案,将与欧盟和解并付赔偿金,DRAM产

在诸多利空消息冲击下,国内DRAM厂包括力晶(5346)、茂德(5387)闻讯再度被打入跌停,持续创波段新低,南科也出现重挫,华亚科(3474)也在平盘之下弱势整理。

DRAM现货价自第二季以来缓步下跌,目前合约价与现货价拉近,法人估6月合约价再涨的几率不高。展望下半年,除非旺季不旺,否则DDR3 1Gb预估仍将站回3美元,不过,2011年下半年韩国三星开出新产能后,DRAM产业恐再面临供过于求的压力。

三星2010年将砸下26兆韩元(约折合228.8亿美元)资本支出,这对全球DRAM产业可说是投下一颗震撼弹,而台系DRAM厂的反应则是哑巴吃黄莲。

三星电子昨日宣布投入9兆韩元(约79.65亿美元)预算,要扩充存储器产能及进行技术升级,其中光是要盖一座月产能高达20万片的12寸厂这件事,就让DRAM业者看傻了眼。

受到个人计算机需求减弱,以及欧洲债务问题持续蔓延,DRAM现货价格买盘缩手观望,价格小幅下滑,但DRAM厂强调,包括手机端及PC端的需求仍强,预料下档有限。

由于上游DRAM厂及NAND厂的新增产能不断开出,力成科技董事长蔡笃恭表示,今年对于半导体产业对来说,会是很不错的一年。

2010年因为智能型手机风潮逐渐兴起,且象是其它手持式产品如电子书等,都需要用到Mobile RAM芯片,因此带动Mobile RAM的使用容量和需求数量都大幅提升。

在需求大增、大环境景气变好这2大利多因素加持下,业界预测NOR Flash市场规模在2010年可望回到成长状态。相较于2009年的46亿美元,NOR Flash市场规模在2010年可微幅增加4.2%,来到48亿美元。

2010年Mobile RAM市场受惠智能型手机需求带动,呈现百花齐放之姿,尔必达(Elpida)趁胜追击推出采用40奈米制程的2Gb容量DDR Mobile RAM新产品,与现有的产品相较,体积更小且耗电量更低.

原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出,一如市场预期,在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下,DDR2合约价最后持平开出,而DDR3合约价则是小涨2~3%;

NAND Flash通路三雄友尚(2403)、增你强(3028)、至上(8112) 异口同声认为今年下半年起,在苹果电脑iPhone 4G与iPad下半年起将陆续放量出货,届时对NAND Flash需求势必大增,然而在各大NAND Flash大厂今年供应量

福懋科(8131-TW) 有望成为全球最大DRAM 模组封测代工厂!据报导,由于福懋科今年积极扩展DRAM模组封测产能,下季产能可望由每月225 万组大增至394 万组。

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