DRAM龙头三星公布史上最大投资计划,有高达78亿美元将用于存储器事业。法人指出;三星2011年起陆续投产,2012年全球市占率由目前的三成劲升至五成,日、美及台系DRAM厂市占全被压缩。
数据数据显示,今年第一季,三星市占率为32.3%,海力士单季市占率为21.5%,日本尔必达以市占率17.4%居第三,美国美光14.1%位居第四,台湾的力晶(5346)第一季市占率4.8%居于全球第五,南科(2408)4.6%紧追,华邦电(2344)、茂德(5387)市占率则各在1.9%、1.3%。
目前三星在DRAM的全球市占率约各为30%和40%,然在三星大幅扩充产能,台湾厂商受限于财务压力、美、日厂商扩产有限下,2012年三星在DRAM的全球市占率将上升到近50%,加上全球第二的海力士全球市占预估小升至25%,使得美日台系DRAM厂只能分抢剩下的约25%之市占率。
此外,三星大幅扩增DRAM、NAND型快闪记忆体产能,加上欧盟拟对三星、海力士、南科(2408) 等10家记忆体厂商祭出罚款,在诸多利空消息冲击下,国内DRAM厂包括力晶(5346)、茂德(5387)闻讯再度被打入跌停,持续创波段新低,南科也出现重挫,华亚科(3474)也在平盘之下弱势整理。
三星半导体事业部总裁权五铉3月中旬来台参加GSA记忆体论坛时呼吁,记忆体产业不能再盲目的扩充产能,才可以维持健康的产业结构。当时言犹在耳,但根据三星电子最新的资本支出规划,不但创下史上之最,并将大举扩充记忆体与面板产能。
另外,全球记忆体第二大厂海力士也不遑多让,今年的资本支出从原订的2.3兆韩圆,提升至2.5兆韩圆,也将用来扩充DRAM、NAND型快闪记忆体产能。
三星大张旗鼓将扩充DRAM、NAND产能,国内DRAM厂商首当其冲。尤其今年景气复苏,DRAM价格翻扬,好不容易来到可以有不错的获利水准,国内各家DRAM业者都认为,在现阶段产能有限、需求强劲的格局下,至少可以维持2年的好光景,也可以休养生息,大举改善财务结构,但此时三星宣布积极扩增产能,新产能将会在2011年下半年到2012年大举出笼,届时预料DRAM市场将会有剧烈的变化。
为了抢搭今年的PC复苏潮,国内各家业者包括南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)以及茂德(5387)都将启动募资计划,其中力晶、茂德为了改善财务结构,更计划进行减资。相较于三星已经投入3X奈米制程,南科、华亚科选择与美光合作,希望可以在第二季底前全部转换至50奈米制程,下半年则会再投入42奈米。
力晶、茂德、瑞晶则是隶属于尔必达阵营,现在以瑞晶的获利最佳,瑞晶预计7月份开始导入45奈米,至于茂德则要等到明年年中才要转换至45奈米,至于力晶转换的进度则尚未明朗。
从制程竞赛的角度来看,三星不断投入先进制程,制造成本也跟着往下降,国内厂商若要全部转换至50奈米以下制程(采浸润式机台),至少也等到明年年中才会见到明显的成效,因此台湾DRAM厂在单位成本上将缺乏竞争力。
接下来,台湾DRAM厂应该要更积极与合作伙伴评估新的抗韩计划。就如同拓墣产业研究所副所长黄锂之前所说,国内DRAM产业短期危机已经过去,国内DRAM厂要趁今年景气复苏之际,好好养精蓄锐,改善财务结构,并且要不断的降低制造成本、提升产品品质以及制程升级,若政府能够给予全力支援,更加有助于国内DRAM产业长期发展。