固态硬碟(SSD)解决方案供应商芯科营收年减29.1%(季增58%)至6,130万美元;本业每股盈余达0.09美元,逊于去年同期的本业每股盈余0.42美元,但优于前季的本业每股亏损0.08美元。

NAND Flash结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。NAND Flash的应用与DRAM不同在于NAND Flash的管理,需要特殊的系统接口,所以需要1个控制芯片(NAND Flash controller)。

展望第3季DRAM厂营运表现,还是要看合约价和现货价格的走势,业者预期呈现缓跌的机率较高,随着制程微缩至50奈米制程以下,DRAM价格要大幅往上的机率有限。

近2年DRAM价格的高点都出现在上半年,下半年虽然有传统旺季的加持,但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势,除了是全球经济局势变量太多,各厂力拼制程微缩,拼命转进新制程以增加产出,也是因素之一;

由于期货价格稳定以及出货量小幅增长等情况的相继出现,第二季度全球DRAM内存芯片收入相比第一季度增长了15.2%,达到了107亿美元。

下半年反而是DDR2有机会反弹,主要是因为生产的产能减少许多,在供给减少下带动价格上涨,但相对而言,DDR2整体市场规模也会缩小。

DRAM一哥力晶(5346)今公布上月营收,尽管DRAM价格上月续弱,惟力晶仍可望超越6月的85.5亿元,续写2007年2月以来的3年多来新高;而茂德(5387)上月因为产能开出,也率先公布创下今年新高的营收表现。

在智能型手机闪存等行动通讯应用产品带动下,NAND Flash市况呈现乐观预期。新帝(SanDisk)全球资深副总裁兼零售业务部总经理Shuki Nir表示,苹果产品热销降低闪存芯片市场不少库存,目前产业市况已出现供不应求。

受到价格上升及出货量扩大影响,第2季DRAM半导体市场也持续呈现上升趋势,成长了15.2%。三星在排名前5名的DRAM业者中,写下了单季销售成长率最高纪录,使其市占率也随之上升至33.9%。

2010年第2季NAND Flash产业排名中,三星电子(Samsung Electronics)仍以40.4%市占率蝉联龙头,并重回40%市占率大关,紧追在后的东芝(Toshiba)市占率达33.1%。

台系DRAM厂第2季新增产能有限,法人预估第3季位元成长率约15%到20%,全年位元成长率约30%到50%,今年下半年(H2)在产出逐渐提升下,整体获利表现将优于上半年(H1)。

今年DRAM表现呈现开高走低,尤其第二季在欧洲债信风暴程咬金来搅局之下,需求受到冲击,不过整体而言,即使价格低迷不振,不过多数的DRAM业者第二季的获利表现仍缴出亮眼的成绩单。

储存型快闪记忆体(NAND Flash)供应商第2季出货量成长约20%,不过因为TLC出货量同步上升,且低成本优势的TLC白牌记忆卡采购量提高,使得NAND Flash品牌供应商,第2季产品平均单价(ASP)较首季下跌9%。

国内、外芯片供货商争相投入USB 3.0,光是台厂就有创惟、旺玖、安国、智微、睿思、祥硕、威锋及钰创等IC设计业者抢进,若加计取得智原及创意IP进入市场的小型IC设计公司,投入USB 3.0芯片的台厂便多达10家以上。

华邦第2季财报将交出亮丽成绩单,预计NOR Flash产品在12吋晶圆厂的投片量将挑战1万片水平,制程技术也将由目前的90奈米制程转进58奈米制程,进一步拉大获利空间。

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