高阶智能型手机和平板计算机应用逐渐侵蚀笔记本电脑(NB)市场,全球内存大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)、美光(Micron)纷重兵部署Mobile RAM市场,由于生产标准型DRAM利润减少,国际内存大厂持

2010年第4季DRAM及Nand Flash等记半导体价格持续下滑,以Samsung而言,其代表性产品1Gb DDR3 DRAM的价格,在第2季上升至2.81美元的高点,第3季则下滑至2.44美元,预估第4季将下滑22%,成为1.9美元。

车用NOR Flash商机延伸至车厢内的科技产品后,商机大饼越来越诱人,台系NOR Flash大厂旺宏和华邦2010年都大张旗鼓宣布要跨足,引来飞索(Spansion)高调固桩;

除了已耕耘20年的车用NOR Flash产品线外,飞索也会把大量资源放在内嵌式产品上,这会是未来成长性最高的产品线,且随着营运弹性化的策略彻底落实,飞索在响应市场变化和客户需求上也未更快速。

DRAM现货价止跌,DDR3 1Gb守住2美元关卡,本月下半月合约价跌势可望趋缓;南科(2408)、力晶(5346)等DRAM股走稳。

苹果(Apple)iPad让平板计算机再度炙手可热,NAND Flash产业亦不能错过这个大好机会,试图藉由iPad窜红为固态硬盘(SSD)再度开创新契机!

虽然2010年NAND Flash市场很沈寂,但在内嵌式内存市场上却一点也不寂寞,拜智能型手机崛起之赐,eMMC成为目前是最当红的手机内嵌式解决方案.

在苹果iPad的助攻以及各类Tablets的强力推波助澜下,预估,到2011年时,NAND闪存可巩固平板计算机市场,成长幅度将近3倍!

NAND Flash相关产品买气平淡,大陆市场十一长假补货需求落空,当地也有许多通路商开始降价促销,藉此刺激随身碟和快闪记忆卡需求出笼;

由于整体电子产业景气趋缓, NAND闪存市场也出现部分冷、部分热的现象;预测,该市场营收规模在 2010年将达到215亿美元,该数字在去年则为161亿美元。

USB 3.0热潮吸引内存模块厂陆续投入,除了龙头大厂金士顿(Kingston)推出USB 3.0随身碟外,广颖电通也正式宣布推出2款USB 3.0产品,分别为USB 3.0 PCIE Card和USB 3.0 Express Card,以抢搭USB 3.

据预估,相较于桌上型硬盘出货量将在2011年衰退4%,外接式硬盘市场约以20%的年增率快速向上成长,成为带动整体硬盘市场热度的重要功臣。

储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场人气涣散,最新合约价下跌5%至10%,主流规格32Gb MLC晶片均价更创2009年3月以来新低,直濒“破底价”,预期第四季价格仍将缓跌。

据报道,三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2Gb DDR3芯片,在工艺升级上继续遥遥领先日美竞争对手。随着量产时间表的设定,三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。

DRAM报价受到库存调整、PC、NB需求微弱,现货价、合约价呈现下挫走势,DDR3产品报价面临每颗2美元保卫战,虽然价格已经跌掉17%,然因为DRAM厂制程转进步调不一,成本结构下滑够快的厂商仍可保持获利。

简讯快报

更多